SemiQ第三代SiC MOSFET：车充与工业应用新突破 - pcim电力展

2025PCIM Asia Shanghai — 上海国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会将行于9月24日至9月26日在上海新国际博览中心举行，邀您关注今日上海电子展新资讯：

SemiQ最新发布的QSiC 1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代产品基础上实现突破性升级，芯片面积缩小20%，开关损耗更低，能效表现更优。该产品专为电动汽车充电桩、可再生能源系统、工业电源及电机驱动等场景打造，在热管理性能和系统集成便利性方面均有显著提升。

图1

核心性能亮点：

• 总开关损耗降低至1646微焦耳

• 爬电距离扩展至9毫米

• 栅极驱动电压优化至-4V至+18V

• 卓越的散热表现(结壳热阻0.26°C/W)

芯片微缩与能效革命

第三代产品在保持导通电阻不变的前提下，通过20%的芯片面积缩减显著提升晶圆良品率。470纳库仑的反向恢复电荷值有效降低电磁干扰，提升开关速度。尽管栅极电荷量略有增加导致开关损耗微升，但整体能效增益完全抵消了这一影响。

多样化封装方案

QSiC 1200V提供16mΩ/20mΩ/40mΩ/80mΩ四种阻抗规格，支持裸片与TO-247 4L分立式封装。3.5V-4V栅极阈值电压设计有效规避电磁噪声引发的误触发风险，其-4V至+18V的栅源电压范围完美兼容行业标准驱动方案。

开关性能参数：

• 开通延迟21ns/关断延迟65ns

• 上升时间25ns/下降时间20ns

• 额定功耗484W

图2

军工级可靠性验证

通过三大严苛测试保障产品寿命：

1400V以上晶圆良品测试

800mJ雪崩能量测试

100%晶圆级栅极氧化层老化筛选

9mm加强型爬电距离设计，为高压环境提供更优电气绝缘保障。

场景化应用优势

• 电动汽车充电：降低40%开关损耗，减少散热系统体积

• 光伏逆变器：快速开关+低EMI特性提升转换效率

• 工业电源/电机驱动：高热稳定性保障重载工况稳定运行

第三代QSiC 1200V碳化硅MOSFET通过芯片微缩、栅极优化和损耗控制三大技术突破，在新能源、工业电力等高压场景中展现出强大的市场竞争力。其革新性设计不仅实现了效率与可靠性的双重提升，更通过标准化封装方案大幅降低工程师的改造成本，为下一代电力电子系统提供效率、耐用性、易用性的黄金平衡解决方案。

    文章来源：浮思特科技

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