SiC行业新动态不断:200mm碳化硅成新里程碑,8英寸SiC项目今年投产_SiC碳化硅展pcim

SiC行业的新动态不断涌现，英飞凌科技在200mm SiC技术上的重大突破和SK集团8英寸SiC项目的加速推进，都显示出这一领域的快速发展和巨大潜力。200mm SiC技术的实现和8英寸SiC衬底的量产，不仅提升了生产效率和市场供应能力，还为高压应用领域提供了更先进的解决方案。随着全球SiC市场的竞争加剧和技术的不断进步，未来SiC器件将在更多领域发挥重要作用，推动行业的持续发展。

一、英飞凌科技：200mm SiC技术的重大突破

(一)2025年第一季度推出首批产品

英飞凌科技在200mm SiC产品路线图上取得了重大进展。公司宣布将于2025年第一季度向客户提供首批基于先进的200mm SiC技术的产品。这些产品将在位于奥地利菲拉赫的生产基地制造，标志着英飞凌在SiC功率技术领域迈出了重要一步。

(二)产品应用领域广泛

这些先进的200mm SiC产品将为高压应用领域提供强大的技术支持，包括可再生能源系统、铁路运输和电动汽车等。在可再生能源系统中，SiC功率器件能够提高能源转换效率，降低系统损耗;在铁路运输中，SiC器件可以提升列车的电力系统性能，增强可靠性;在电动汽车领域，SiC器件有助于提高电池的充电效率和车辆的续航里程，推动电动汽车的进一步普及。

(三)马来西亚居林基地的产能升级

此外，英飞凌位于马来西亚居林的生产基地正在从150mm晶圆向直径更大、更高效的200mm晶圆过渡。新建的第三厂区将根据市场需求开始大批量生产，这将进一步提升英飞凌在全球SiC市场的供应能力和竞争力。

二、SK集团：8英寸SiC项目的加速推进

(一)国家项目联合开发与量产计划

SK集团在SiC领域也取得了显著进展。SK集团已经与三星电子、Above Semiconductor共同参与了国家项目“SiC•GaN功率半导体”的联合开发，并计划在今年开始量产8英寸SiC衬底。这一项目得到了韩国政府的大力支持，显示出SK集团在SiC领域的强大研发和生产能力。

(二)双重生产体系的构建

据SK集团董事长崔泰源透露，SK集团正在加速对SiC衬底的投资，并将其作为继高带宽存储器(HBM)之后的下一代增长引擎。为了抢占市场，SK集团计划在韩国和美国之间建立双重生产体系，于今年开始量产8英寸SiC衬底。这一战略布局将有助于SK集团在全球SiC市场中占据重要地位。

(三)韩国与美国工厂的产能布局

SK Siltron的韩国工厂主要分布在龟尾市和利川市，目前主要生产硅衬底，而SiC衬底产能以美国工厂为主。SK Siltron的美国子公司SK Siltron CSS主要生产碳化硅衬底和外延片，其在美国密歇根州奥本市、贝城分别拥有两座工厂，并获得了美国能源部4.815亿美元(约合34.8亿人民币)的贷款。据此来看，SK Siltron可能会增加韩国本土的SiC衬底产能，并生产8英寸SiC衬底，以满足不断增长的市场需求。

三、行业新动态与未来展望

(一)200mm SiC技术的里程碑意义

英飞凌科技的200mm SiC技术突破和SK集团的8英寸SiC项目投产，标志着SiC行业正在快速发展。200mm SiC技术的实现不仅提升了生产效率，降低了成本，还为高压应用领域提供了更先进的解决方案。这一技术突破将推动SiC器件在更多领域的广泛应用，加速SiC市场的增长。

(二)全球SiC市场的竞争格局

随着英飞凌和SK集团等国际巨头的加速布局，全球SiC市场的竞争格局正在发生变化。英飞凌在欧洲和东南亚的产能升级，以及SK集团在韩国和美国的双重生产体系构建，都显示出这些企业在SiC领域的战略布局和市场野心。未来，随着更多企业的加入和技术的不断进步，SiC市场将迎来更激烈的竞争和更广阔的发展空间。

(三)未来发展趋势

展望未来，SiC技术将继续在多个领域发挥重要作用。在可再生能源、电动汽车和工业自动化等领域，SiC器件的高效能和高可靠性将成为推动技术进步的关键因素。同时，随着8英寸SiC衬底的量产和更大尺寸晶圆技术的逐步成熟，SiC器件的成本将进一步降低，市场渗透率将不断提高。这将为全球SiC产业带来新的发展机遇，推动行业的持续增长。

来源：SiC碳化硅展pcim

2025PCIM Asia Shanghai — 上海国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会将于2025年9月24日至9月26日在上海新国际博览中心举行。上海电子展门票领取及更多资讯，详情请点击：2025PCIM Asia Shanghai — 上海国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会