安森美(onsemi)12月18日发布革命性垂直氮化镓(vGaN)功率半导体技术,为AI数据中心和电气化应用设定能效新标杆!

【onsemi於纽约州雪城制造的新款垂直GaN晶圆】
这项技术是突破性的,基于安森美独有的GaN-on-GaN工艺,采用垂直电流导通架构。相比较于主流横向设计,它可以实现更高工作电压、更快开关频率,将能源损耗降低近50%,同时器件尺寸缩小约三分之二。
这项技术的核心突破:
【更高能效】
大幅减少能量转换过程中的损耗和热量,显著降低系统冷却成本。
【更高功率】
密度在更小尺寸下支持高达1200V的电压和更大电流。
【更紧凑系统】
高频特性减小了电容、电感等被动元件的体积,助力实现轻量化设计。
氮化镓是一种什么材料?高效利用氮化镓有什么益处呢?
氮化镓(GaN)是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,属于第三代半导体材料。
高效利用氮化镓有诸多益处。在性能方面,它能让功率器件拥有更高的功率密度输出和能量转换效率,使系统小型化、轻量化,降低制作及生产成本。在环保方面,其碳足迹比传统硅基器件低10倍,能有效降低碳排放。此外,氮化镓还具有优良的电子迁移率和电子饱和漂移速度,在射频和微波电子器件中表现出色,如可用于5G通信系统中的射频功率放大器。
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来源:广州光亚法兰克福展览有限公司
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