成功突破6英寸过渡金属硫化物二维半导体单晶量产核心技术难题_半导体展pcimasia

东南大学物理学院教授王金兰团队联袂南京大学教授王欣然团队成功突破了6英寸过渡金属硫化物二维半导体单晶量产核心技术难题！基于金属有机化学气相沉积技术，通过氧辅助策略精准调控生长动力学，解决了传统技术中碳污染、晶畴尺寸小、迁移率低等挑战。

王金兰教授（左3）团队与王欣然教授（右3）团队合影。

这是二维半导体产业化关键的一步。相关研究成果1月30日发表于国际学术期刊《科学》。

二维半导体的产业化制备面临着哪些挑战呢？
1、量产与质量的平衡：
实验室常用的化学气相沉积法虽能制备高质量单晶，但尺寸小、均匀性差，难以满足工业需求。而虽具备规模化潜力的传统金属有机化学气相沉积技术，却因反应动力学限制，易产生缺陷和碳污染，导致材料性能不足。
2、材料特性带来的加工难题：
二维半导体具有原子级厚度，如同“豆腐”般脆弱，对后续加工工艺提出极高要求，极易在处理过程中受损。
3、产业链生态尚不成熟：
目前缺乏针对二维半导体的专用器件模型、设计规则和工艺设计套件，上下游产业链未形成闭环，制约了其大规模应用。

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来源：广州光亚法兰克福展览有限公司

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