IGBT和MOSFET都能开关，导通参数为什么写法不同 - pcim展览会

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同样处在导通状态，IGBT的数据表常给出饱和压降，MOSFET则常给出导通电阻。两者都是描述器件导通特性的参数，却不能当作同一种量直接比较。IGBT和MOSFET的导电结构不同，前者的导通损耗通常从电流与饱和压降的关系理解，后者则常从电流经过导通电阻产生的压降和损耗来估算。

饱和压降描述IGBT的导通状态

IGBT内部有双极载流子参与导电。导通以后，集电极与发射极之间仍存在电压降，数据表以集电极—发射极饱和电压等参数描述这一状态。该压降会随集电极电流、栅极电压和结温变化，因此不是一个脱离测试条件的固定常数。

在简化估算中，可以把导通损耗理解为电流与导通压降在导通时间内共同形成的能量消耗。实际波形会变化，PWM运行中的电流和占空比也不是常数，所以工程计算通常需要结合工作周期和数据表曲线，而不能只把一个典型压降乘以额定电流。

导通电阻描述MOSFET的沟道与漂移区

MOSFET导通时，数据表通常用漏极—源极导通电阻R_DS(on)描述电流通路的电阻特性。在近似条件下，导通压降随电流增加而增加，损耗与电流平方和导通电阻相关。温度上升会改变导通电阻，因此器件处于较高结温时，损耗估计不能照搬室温测试值。

“电阻”这个名称也容易造成误解：它不是所有电流、温度和栅极条件下恒定不变的理想电阻。沟道、漂移区、芯片结构和封装都会影响测得的参数。对于高压MOSFET，漂移区在导通电阻中的影响可能相当明显；对于低压器件，沟道和互连的相对影响又会不同。

参数数字要连同测试条件一起读

比较不同器件的导通表现时，至少要看电流、栅极驱动电压与结温条件是否一致。MOSFET的R_DS(on)通常与指定栅压绑定；IGBT的饱和压降也对应给定的集电极电流和栅极条件。忽略温度或测试点差异，单独比较数值，很容易得出错误结论。曲线图上的测试条件也要一并核对。

同是开关器件，比较方式不能只看一个数

IGBT和MOSFET都能在功率回路中控制通断，也都会产生导通与开关损耗。但饱和压降与导通电阻来自不同的器件模型，适合结合各自的电流、温度和驱动条件解读。看懂参数名称，就能避免把“压降”和“电阻”当成同一把尺，也能把静态导通与动态切换分开分析。

在变频器、电源和逆变设备的运行分析里，这种区分会直接影响损耗估算。稳态导通时看压降或电阻及其工作点；切换过程中则要看器件两端电压、电流的重叠和切换频率。把两类过程分别拆开，数据表里的参数才会对应到真实电路中的发热来源。

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    文章来源：PCIM电力元件可再生能源管理展