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03/21/2020

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【上海电力电子展】这种材料有望替代硅,成为芯片的选择

上海国际电力元件、可再生能源管理展览会将于2020年7月1-3日在上海世博展览馆隆重举行,邀您关注今日上海电力电子展新资讯:

       近年来,诸如石墨烯和过渡金属二硫族化合物(MX2)之类的2D晶体受到了广泛的关注。对这些材料的特殊兴趣可以归因于其非凡的性能。与传统的3D晶体相比,2D晶体提供了非常有趣的形状因数。在其优雅的2D形式下,电子结构,机械柔韧性,缺陷形成以及电子和光学灵敏度都变得截然不同。最著名的2D材料是石墨烯,即碳原子以六边形蜂窝晶格架构排列的晶体单分子层。石墨烯是柔性的,透明的并且非常坚固。它是一种出色的导热和电子导体。但是2D材料的探索已经远远超出了石墨烯。例如,MX2类具有与石墨烯互补的通用特性。例如,与不存在带隙的石墨烯相反,它们具有宽范围的带隙。对2D材料的兴趣不仅限于半导体材料,还包括对绝缘体和金属的探索。

       这些材料的机会已经出现在多个领域,包括(生物)传感,能量存储,光伏,光电和晶体管缩放。例如,石墨烯是光电应用的理想材料。它同时具有电吸收和电折射特性,使其适合于光调制,检测和切换。最近的研究表明,基于石墨烯的集成光子技术具有实现下一代数据和电信应用的潜力。

       新的硅?

       在MOSFET器件的沟道中,一些2D材料甚至可以取代Si。当硅在导电沟道中时,栅极长度缩放会导致短沟道效应,从而降低晶体管的性能。用2D代替硅有望抵消负面的短沟道效应。由于原子的精确性,传导沟道也可以变得非常薄,甚至可以达到单个原子的水平。此外,一些2D材料的介电常数较低,可与氧化硅相媲美。这为使用具有不同功能(即传导沟道、电介质)的各种2D材料构建堆栈打开了机会,并将使栅极长度缩小到几纳米。通过这种方式,2D材料可以提供一条通向极端设备尺寸缩放的进化道路,目标是3nm及以下技术世代。

       然而,电子电路中2D材料的第一次可能不会在最终的缩放设备中实现,而是应用在性能要求较低(即导通电流更低)的低功率电路中。例子包括可以在芯片后端实现的晶体管和小型电路。在这里,它们可以缓解一些路由拥塞,并在线路前端节省一些区域。为了构建后端兼容的晶体管,目前正在研究各种材料,包括半导体铟镓锌氧化物(IGZO)和各种2D材料。使用2D材料的一个特殊优势是能够制造互补的MOS器件,即nMOS和pMOS。这允许开发紧凑的后端逻辑电路,如中继器。这些后端晶体管和电路的一个共同要求是温度预算,它应该与后端线处理兼容。2D材料也可用于构建其他电路,如片上电源管理系统、信号缓冲器和可伸缩存储器选择器。对于所有这些电路,电流要求(离子方面)相对较低,与高比例器件相比,一层2D材料可能足以制造这些器件。

       面向基于2D材料的设备的300mm平台

       对于最终可缩放的设备以及要求较低的电路,imec试图了解2D材料的材料属性和工艺限制。更具体地说,imec专注于材料勘探(包括2D半导体、2D(半)金属和2D电介质)、过程集成勘探和设备勘探。该团队正在建立一个通用的集成流程,该流程考虑了所有应用的通用需求,例如允许的温度预算和2D材料的化学稳定性。集成流程以300mm晶圆为目标,以充分利用大批量制造技术的优势。一个重要的挑战是在300mm集成过程中保持2D材料的单晶片状质量。

       为高性能逻辑解锁基于2D材料的FET

       双栅WS2 FET架构:最终规模化、高性能器件的开发首先要确定最有前途的2D材料和设备架构。因此,Imec已根据先进的Si FinFET平台对不同的2D材料和2D FET体系架构进行了基准测试。根据这些研究,imec团队得出结论,在300mm技术兼容材料中,堆叠纳米片架构的二硫化钨(WS2)具有最高的性能潜力(即最高的导通电流)(图1)。他们还得出结论,双栅极FET架构(图2)比单栅极FET更可取,尤其是当设备架构遭受与触点和间隔物区域有关的非理想性时。

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图1 在技术兼容材料中,WS2具有最高的高性能逻辑应用潜力

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图2。双栅WS2 FET架构的TEM图。

       在300mm晶圆上生长和随后的层转移——世界首创:作为设备制造的关键工艺步骤,在imec使用改进的金属-有机化学气相沉积(MOCVD)工具首次证明了WS2在300mm晶圆上的高质量生长。该方法的结果是厚度控制的单层精度超过整个300mm的晶圆。然而,MOCVD生长的好处是以材料生长时的高温为代价的。为了建立一个与后端生产线要求兼容的设备集成流程,随后将沟道材料从生长基板转移到目标设备晶圆是至关重要的。imec团队开发了一个独特的传输过程,使得WS2单层(厚度仅为7埃)成功地转移到目标晶圆上(图3)。转移过程是基于临时键合和解键合技术,对2D材料的电特性没有影响。该技术甚至已经成功地应用于具有特定形貌的目标基板。未来的发展将着重于进一步改进转移过程,以减少诸如不需要的颗粒、正面的标记和边缘碎屑等缺陷。

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图3.单层(7埃)WS2层的300mm生长和转移。

       器件方面的挑战:在器件方面,已经确定了与栅极电介质、金属触点和沟道材料的缺陷和存储有关的主要挑战。

       首先,在2D表面上沉积介电材料是一个真正的挑战,因为在(范德华终止)2D材料上缺少悬空键。imec团队目前正在探索两种介质生长的途径:(1)直接原子层沉积(ALD)在较低的生长温度下生长,(2)通过使用非常薄的氧化层(如氧化硅)作为成核层来增强ALD的成核。对于后一种技术,在双栅极架构的初步测量表明,在2D维材料的前面和后面都有良好的按比例缩放的介质电容。

       imec团队还筛选了多种金属以接触WS2纳米片。他们发现,使用Mg触点可获得最高的导通电流(图4)。

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图4.通过与WS2的Mg接触获得最高的离子电流(对于nMOS器件)。

       最后,缺陷在2D材料的化学行为中起着至关重要的作用,从而深刻地影响了器件的性能。因此,了解缺陷形成的基本原理及其对设备性能的影响是至关重要的。通道材料最常见的缺陷之一是硫空位。Imec目前正在研究如何使用不同的等离子体处理来钝化这些缺陷。此外,还应考虑材料的稳定性和反应活性。众所周知,像WS2这样的2D材料会迅速老化和降解。根据研究小组的结果,一种很有前途的防止衰老的方法是将样本储存在惰性环境中。

       设备性能:基准和展望

       最后,团队估算了设备性能的上限,以及达到该目标应该走的路。

作为一个基准,imec团队使用了双栅设备,这些设备是用小的、自然脱落的WS2薄片构建的。对于这些实验室规模的设备,可以测量大于100cm2/Vs的迁移率值,这与理论上预测的WS2迁移率值非常接近。我们的期望是,如果用天然材料可以做到这一点,那么用合成材料也应该可以做到——目前合成材料的体积大约只有几平方厘米/Vs。Imec正在努力改进基本的过程步骤,以期进一步提高性能。

对于未来的一些主要挑战,团队对如何解决它们有着清晰的观点。例如,他们知道如何在300mm的目标衬底上生长和转移材料,并且有一个清晰的集成道路。他们也在学习如何缩放栅极电介质,以及如何改善沟道中的固有迁移率。

但是在集成路径上,仍然存在一些挑战,需要进一步研究和更好的基础了解。其中之一与2D材料对器件晶圆的不良附着力有关,另一原因与阈值电压的控制有关。解决这些挑战将使2D材料的许多电子应用成为可能,最终将是大规模的高性能设备,以及对规格要求较低的应用。

用于极端晶体管缩放的2D材料:其潜力的证明

正如在2019年IEDM会议上所显示的,imec已经对基于MoS2的晶体管进行了深入的研究,以证明基于2D材料的器件在极端晶体管缩放方面的真正潜力。研究小组合成了厚度为0.6nm的MoS2材料,并制备了接触尺寸和沟道长度分别为13nm和30nm的器件(图5)。这些按比例缩放的尺寸,加上栅氧化层的厚度和高K电常数,已经证明了一些迄今为止最好的器件性能。最重要的是,这些晶体管能够全面研究器件的基本特性和TCAD模型的校准。利用校准后的TCAD模型,提出了一种切实可行的性能改进途径。

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图5. TEM照片显示(a)3个单层MoS2沟道,接触长度为13nm,沟道长度为29nm。传输特性改善了亚阈值震荡(SS)与稀薄的HfO2。

这些结果证实了2D材料在极端晶体管缩放方面的潜力-既有利于高性能逻辑,又有利于存储器应用。从这项研究中获得的见解正被转移到imec的300mm晶圆平台,用于使用2D材料的晶体管。

       致谢

       这项工作是imec探索设备团队和imec纳米应用材料工程团队共同努力的结果。

       这项研究的一部分是在石墨烯旗舰计划的框架内进行的。石墨烯旗舰计划是一项欧洲未来和新兴技术旗舰计划,旨在将石墨烯和相关层状材料从学术实验室转移到日常使用中。

文章来源:半导体行业观察


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