邀请参会｜英诺赛科分享InnoGaN赋能智行‘芯‘未来 - 上海国际电力元件

2023上海国际电力元件、可再生能源管理展览会将行于8月29日至8月31日在上海新国际博览中心举行，邀您关注今日上海电子展新资讯：

汽车产业“新四化”加速进行，整车及零部件供应商纷纷布局新能源、智能网联等领域。PCIM Asia与Automechanika Shanghai 跨界共融合作，在Automechanika（深圳特展）上的明日出行活动区设立电动交通论坛，将于2月17日下午在深圳国际会展中心（宝安新馆）9号馆举办，内容涵盖汽车智能化、SiC/GaN宽禁带半导体、车规级半导体核心技术等，展示汽车智能化背景下的功率半导体器件技术。

论坛邀请了英诺赛科的产品应用高级主任工程师黄锋，将带来《InnoGaN赋能智行'芯'未来》的主题报告，分享最新的实践经验与收获。

关于英诺赛科（Innoscience）

英诺赛科是全球领先的GaN IDM高新技术企业，汇集了半导体行业资深的研发与应用团队，致力于第三代半导体硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 研发与制造。我们拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆生产能力，产品设计及性能处于国际先进水平，为客户提供从30V 到700V的高、低压全功率氮化镓芯片。自2015年成立至今，英诺赛科已获专利700多项，累计出货量超1亿颗。产品可广泛应用于消费电子、服务器电源、汽车电子及新能源等前沿领域。 

新品介绍：高集成半桥驱动功率芯片Solid GaN—ISG3201

ISG3201是一颗耐压100V的半桥氮化镓芯片，其内部集成了2颗100V，导阻3.2mΩ的增强型氮化镓和1颗100V半桥驱动，凭借内部集成驱动器去了外部钳位电路，能够显著降低关联的寄生参数；同时，该芯片还具有独立的高侧和低侧PWM信号输入，并支持TTL电平驱动，可由专用控制器或通用MCU进行驱动控制。

英诺赛科产品设计高级总监田水林博士表示：“ISG320x系列产品是英诺赛科主推的100V高功率密度GaN系列模块产品，该产品系列将半桥驱动和两颗GaN HEMT以及外围元器件高度集成，大大简化了电路设计。首发模块产品ISG3201面积（5x6.5）仅略大于单颗标准5x6 Si器件，有效减小了PCB板面积。优化的模块引脚设计显著减小了主功率寄生参数以及由此引起的电压尖峰，进一步提高了系统性能和可靠性。该系列产品是数据中心模块电源，电机驱动以及D类功率放大器等48V电源系统的最佳选择。”

    文章来源： PCIM电力元件可再生能源管理展

2023上海国际电力元件、可再生能源管理展览会将于2023年8月29日至8月31日在在上海新国际博览中心举行；上海电子展更多资讯，详情请登陆官网 https://pcim.gymf.com.cn