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2025/09/30
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罗姆半导体PCIMASIA2025重点展示其在碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)最新技术突破与产品解决方案_PCIMASIA2026
日本京都全球知名半导体制造商罗姆(ROHM Semiconductor)参展2025年上海国际电力元件、可再生能源管理展览会(PCIM Asia 2025)。本次展会于9月24日至26日在上海举行,罗姆重点展示其在碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率器件领域的最新技术突破与产品解决方案,这些技术主要面向工业设备和汽车电子应用领域。展会期间,罗姆还将举办多场专业技术研讨会,与业界专家共同探讨电力电子技术的最新发展趋势和创新应用。
2025/09/30
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三星2nm晶圆代工能否凭这招撼动台积电_pcimasia半导体展会
在半导体制造的激烈战场上,2nm制程晶圆代工领域正上演着一场惊心动魄的“价格与市场争夺战”。2025年,三星电子率先出招,将其2nm(SF2)制程晶圆的代工报价大幅下调至20000美元,这一动作犹如一颗重磅炸弹,在行业内掀起了层层波澜,其目标直指应对台积电在该领域的强势竞争。
2025/09/28
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是谁家氮化硅陶瓷基板实现量产替代?一起来看看_氮化硅行业展会pcimasia
近日,苏州博胜材料科技有限公司(简称“博胜材料”)宣布完成数千万元 A 轮融资,永鑫方舟领投,瀚漾资本、哇牛资本、国科京东方等老股东持续追投。本轮融资将助力博胜材料快速扩大产能、扩充核心团队及加速市场开拓,为突破氮化硅陶瓷材料产业化瓶颈注入强劲动力。
2025/09/28
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武汉企业为国产半导体装上“自主关节”,超1300亿元资本来了_半导体展会PCIM
连日来,吉盛微(武汉)新材料科技有限公司(以下简称“吉盛微”)总经理刘宁宁喜笑颜开——公司与武汉浦耀基金已正式签署增资协议,计划于本月底完成2000万元重组增资。
2025/09/25
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这家企业发布顶部散热SiC半桥模块,适用于车载充电器,便携储能充电器等领域_pcimasia
在7月,爱仕特在其官网宣布推出多款SiC模块新产品,其中顶部散热SiC半桥模块尤为引人注目。该模块内部采用DBC(陶瓷覆铜板)绝缘基板,具备175℃的峰值工作温度耐受能力。其大幅缩减的PCB面积和简化的散热设计,直接降低了系统体积与物料成本,使其在车载充电器、便携储能充电器等领域具有显著的应用优势。
2025/09/25
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在电力行业中,MEMS传感器的应用现状与国产技术突破_电力元件展PCIM
电力行业作为国家能源基础设施的核心,正加速向智能化、数字化转型。从传统电网的单一供电功能,到智能电网的全流程状态监测与优化控制,这一变革与传感器技术的进步紧密相连。早期电力系统主要依赖传统机械式传感器实现基本参数监测,但其体积大、功耗高、精度低等局限,难以满足复杂电网环境下的实时监测需求。
2025/09/24
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英诺赛科第三代700V GaN全面上市_氮化镓展pcimasia
近日,英诺赛科第三代700V增强型氮化镓功率器件系列正式推向市场。与上一代Gen2.5产品相比,Gen3系列在核心性能方面取得了显著进步。
2025/09/24
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东芝推出采用TOLL封装的第3代650V SiC MOSFET_pcim半导体展会
东芝近日宣布推出三款650V碳化硅(SiC)MOSFET产品,型号分别为“TW027U65C”“TW048U65C”和“TW083U65C”。这三款新品搭载了东芝最新的第3代SiC MOSFET芯片,并采用了表面贴装的TOLL封装形式,主要面向开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备领域,目前已经开始支持批量出货。
2025/09/24
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龙芯首款GPGPU芯片将流片,国产存储芯片重磅利好来了_PCIM半导体展
GPU的升级,带来的是存储产业的快速升级。龙芯中科在互动平台表示,龙芯首款GPGPU芯片9A1000的研发基本完成,三季度内会交付流片。成功与否需待流片回来后的测试结果。此前龙芯中科在机构调研中披露,即将交付流片的9A1000是首款GPGPU芯片,低成本,图形方面对标RX550,具有几十T的算力;后续还有9A2000和9A3000的规划。这对于国产存储芯片而言,无疑是一个重磅利好。
2025/09/22
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一文解析宽禁带(WBG)半导体SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)_宽禁带半导体展PCIM
随着现代工业对更高功率、更高频率、更小体积应用需求的不断攀升,单纯依靠改变器件结构已无法突破半导体材料自身性能的瓶颈。此时,第三代半导体材料——宽禁带(WBG)半导体崭露头角,它能够突破传统硅半导体材料的极限,进而研发出性能更为卓越的半导体功率器件。
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