陶瓷电容是什么？陶瓷电容的作用有哪些？

        陶瓷电容是日常生活中经常能够见到的，但是有很多朋友并不了解陶瓷电容，那么今天我们就来了解一下陶瓷电容的相关内容，包括陶瓷电容的作用，接下来我们就一起来看看电子之家的分享。

        陶瓷电容的介绍

         陶瓷电容(ceramic capacitor;ceramic condenser )又称为瓷介电容器或独石电容器。顾名思义，瓷介电容器就是介质材料为陶瓷的电容器。根据陶瓷材料的不同，可以分为低频陶瓷电容器和高频陶瓷电容器两类。按结构形式分类，又可分为圆片状电容器、管状电容器、矩形电容器、片状电容器、穿心电容器等多种。

        它的外形以片式居多，也有管形、圆形等形状。

        陶瓷电容器是以陶瓷材料为介质的电容器的总称。其品种繁多，外形尺寸相差甚大。按

        使用电压可分为高压，中压和低压陶瓷电容器。按温度系数，介电常数不同可分为负温度系数、正温度系数、零温度系数、高介电常数、低介电常数等。此外，还有I型、II型、III型的分类方法。一般陶瓷电容器和其他电容器相比，具有使用温度较高，比容量大，耐潮湿性好，介质损耗较小，电容温度系数可在大范围内选择等优点。广泛用于电子电路中，用量十分可观。

        陶瓷电容器种类

        半导体陶瓷电容器

        (1)表面层陶瓷电容器 电容器的微小型化，即电容器在尽可能小的体积内获得尽可能大的容量，这是电容器发展的趋向之一。对于分离电容器组件来说，微小型化的基本途径有两个：

        ①使介质材料的介电常数尽可能提高;

        ②使介质层的厚度尽可能减薄。在陶瓷材料中，铁电陶瓷的介电常数很高，但是用铁电陶瓷制造普通铁电陶瓷电容器时，陶瓷介质很难做得很薄。首先是由于铁电陶瓷的强度低，较薄时容易碎裂，难于进行实际生产操作，其次，陶瓷介质很薄时易于造成各种各样的组织缺陷，生产工艺难度很大。

        表面层陶瓷电容器是用BaTiO3等半导体陶瓷的表面上形成的很薄的绝缘层作为介质层，而半导体陶瓷本身可视为电介质的串联回路。表面层陶瓷电容器的绝缘性表面层厚度，视形成方式和条件不同，波动于0.01～100μm之间。这样既利用了铁电陶瓷的很高的介电常数，又有效地减薄了介质层厚度，是制备微小型陶瓷电容器一个行之有效的方案。

        成表面介质层的方法很多，这里仅作简单介绍。在BaTiO3导体陶瓷的两个平行平面上烧渗银电极，银电极和半导体陶瓷的接触介面就会形成极薄的阻挡层。由于Ag是一种电子逸出功较大的金属，所以在电场作用下，BaTiO3导体陶瓷与Ag电极的接触介面上就会出现缺乏电子的阻挡层，而阻挡层本身存在着空间电荷极化，即介面极化。这样半导体陶瓷与Ag电极之间的这种阻挡层就构成了实际上的介质层。

        这种电容器瓷件，先在大气气氛中烧成，然后在还原气氛中强制还原半导化，再在氧化气氛中把表面层重新氧化成绝缘性的介质层。再氧化层的厚度应控制适当。若氧化膜太薄，电极和陶瓷间仍可呈现pn结的整流特性，绝缘电阻和耐电强度都得不到改善。随着厚度的逐渐增加，pn结的整流特性消失，绝缘电阻提高，对直流偏压的依存性降低。但是，再氧化的时间不宜过长，否则可能导致陶瓷内部重新再氧化而使电容器的容量降低。还原处理的温度为800～1200℃，再氧化处理的温度为500～900℃。经还原处理后的陶瓷材料，绝缘电阻率可降至10～103Ω·cm，表面层的电阻率低于内部瓷体的电阻率;薄瓷片的电阻率，一般比处理条件相同的较厚瓷体的电阻率低一些。由于再氧化处理形成的表面绝缘性介质层的厚度比较薄，所以尽管其介电常数不一定很高，但是经还原再氧化处理后，该表面层半导体陶瓷电容器的单位面积容量仍可达0.05～0.06μF/cm2。

        (2)晶界层陶瓷电容器晶粒发育比较充分的BaTiO3半导体陶瓷的表面上，涂覆适当的金属氧化物(例如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等)，在适当温度下，于氧化条件下进行热处理，涂覆的氧化物将与BaTiO3形成低共溶液相，沿开口气孔和晶界迅速扩散渗透到陶瓷内部，在晶界上形成一层薄薄的固溶体绝缘层。这种薄薄的固溶体绝缘层的电阻率很高(可达1012～1013Ω·cm)，尽管陶瓷的晶粒内部仍为半导体，但是整个陶瓷体表现为显介电常数高达2×104到8×104的绝缘体介质。用这种瓷制备的电容器称为晶界层陶瓷电容器(boundarg layer ceramic capacitor)，简称BL电容器。

        陶瓷电容的作用

        旁路(去耦)

        这是为交流电路中某些并联的元件提供低阻抗的通路。在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容器所处的位置不同，称呼就不一样。对于同一个电路来说，旁路(bypass)电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦(decoupling)电容也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象。我们经常可以看到，在电源和地之间连接着去耦电容，它有三个方面的作用：一是作为本集成电路的蓄能电容;二是滤除该器件产生的高频噪声，切断其通过供电回路进行传播的通路;三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。

        耦合

        用在耦合电路中的陶瓷电容称为耦合电容，在阻容耦合放大器和其他电容耦合电路中大量使用这种电容电路，起隔直流通交流作用，它作为两个电路之间的连接，允许交流信号通过并传输到下一级电路。

        滤波

        用在滤波电路中的陶瓷电容器称为滤波电容，滤波电容是会将一定频段内的信号从总信号中去除的，所以在电源电路中，整流电路将交流变成脉动的直流，而在整流电路之后接入一个较大容量的陶瓷电容，利用其充放电特性，使整流后的脉动直流电压变成相对比较稳定的直流电压。

        谐振

        用在LC谐振电路中的安规电容器称为谐振电容，LC并联和串联谐振电路中都需这种电容电路。

        温度补偿

        针对其它元件对温度的适应性不够带来的影响而进行补偿，改善电路的稳定性。

        调谐

        是对与频率相关的电路进行系统调谐，比如手机、收音机、电视机。

        储能

        储能就是储存电能，用于必要的时候释放。例如相机闪光灯，加热设备等等。(现如今很多电容的储能水平已经可以接近锂电池的水准，一个电容储存的电能就可以供一个手机使用一天的时间)

        陶瓷电容的作用比较多，性能较好，相信看完电子之家平台分享的内容的朋友对于陶瓷电容会有更多的了解，希望我们的分享对朋友们有所帮助