行业资讯

2022/05/20

177

国防军工行业深度报告:第三代半导体 能源转换链“绿芯”材料 - 上海电力电子展

2022上海国际电力元件、可再生能源管理展览会将于8月31日至9月2日在上海新国际博览中心举行,邀您关注今日上海电子展新资讯:


T第ab三le代_S半um导ma体ry可] 有效降低能源损耗第三代半导体主要是指氮化镓和碳化硅、氧化锌、氧化铝、金刚石等宽禁带半导体,它们通常都具有高击穿电场、高热导率、高迁移率、高饱和电子速度、高电子密度、可承受大功率等特点。


宽禁带半导体契合了电力电子、光电子和微波射频等领域的节能需求。在电力电子领域,碳化硅功率器件相比硅器件可降低50%以上的能源损耗,减少75%以上的设备装置,有效提升能源转换率。在光电子领域,氮化镓具有光电转换效率高、散热能力好的优势,适合制造低能耗、大功率的照明器件。在射频领域,氮化镓射频器件具有效率高、功率密度高、带宽大的优势,带来高效、节能、更小体积的设备。


新能源及通讯市场将为第三代半导体创造百亿市场规模和Si、GaAs 等第一、二代半导体材料相比,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)拥有击穿电压高、禁带宽、导热率高、电子饱和速率高、载流子迁移率高等优点,是制作高频、高温、抗辐射器件的优异材料。  SBD 器件领域,碳化硅基SBD 器件相较硅基SBD 器件具有耐高压、高温不易失控及损耗小等特点;MOSFET 器件领域,碳化硅基MOSFET 器件相较硅基IGBT 器件具有损耗小、导通电阻低及耐高压等特点。


碳化硅衬底可以制作成半绝缘型衬底及导电型衬底,分别外延碳化硅及氮化镓制作成功率器件或微波射频器件。功率电器领域,碳化硅器件可大幅降低能耗及可耐高压高频,被广泛应用在电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通及智能电网领域,2025 年市场规模将超100亿;射频器件领域,碳化硅的高导热性能能够满足5G 通讯对高频性能和高功率处理能力的要求,2025 年市场规模将超100 亿。


成本端依然是考量第三代半导体大规模应用的关键因素受制于碳化硅长晶速度、加工难度及缺陷密度,碳化硅的成本一直居高不下成为其扩大应用的难题。  根据CASA 的调研数据,2020 年SiC 电力电子器件价格同比进一步下降,但部分器件实际成交价与等同规格的Si 器件价差已经缩小至2-2.5 倍之间。目前市场上降低成本的主要方式有扩大晶圆尺寸、改进碳化硅长晶工艺及改进切片工艺等,未来其价差有望进一步缩小。


衬底及外延端价值高,国内外差距小,或可实现弯道超车根据CASA Research 数据,第三代半导体产业链中,衬底成本占器件总成本的47%,外延成本占器件总成本的23%,二者合计约70%,为碳化硅器件成型流程最具投资价值的环节。相较之下,12 寸硅片的衬底与外延价值总计约占11%,因而碳化硅领域衬底及外延更具投资价值。


竞争格局方面,从海内外公司业务布局、专利布局、盈利能力、技术实力及发展环境等角度来看,国内公司仅起步时间稍微落后,差距极小。考虑到行业整体处于产业化初期,受益于国内5G 通讯、新能源等新兴产业的技术水平、产业化规模的世界领先地位,国内碳化硅器件巨大的应用市场空间将持续驱动上游半导体行业快速发展,国内碳化硅厂商有望成长为具有国际竞争力的企业。



    文章来源:东方财富网



2022上海国际电力元件、可再生能源管理展览会将于2022年8月31日至9月2日在上海新国际博览中心举行;上海电子展更多资讯,详情请登陆官网 https://pcim.gymf.com.cn

扫码实名预约,领取入场证!


          点击快速预登记


 

凡本网注明“来源:广州光亚法兰克福展览有限公司”的所有作品,版权均属于广州光亚法兰克福展览有限公司,转载请注明。
凡注明为其它来源的信息,均转载自其它媒体,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点及对其真实性负责。若作者对转载有任何异议,请联络本网站,联系方式:020-38217916;我们将及时予以更正。

欢迎莅临上海国际电力元件、可再生能源管理展览会!

电力电子、智能运动、可再生能源、能源管理

联系我们

商务电话:

+86 20 3825 1558

公司地址:

广州市天河区林和西路161号中泰国际广场B3107

主办单位官方微信

主办单位官方微信