完成D轮融资,这家氮化镓公司构筑完整氮化镓功率芯片技术体系 _深圳电力电子展pcimasia

已完成D轮融资的苏州能讯高能半导体有限公司，融资额暂未披露。能讯半导体创立于2011年，总部位于江苏昆山，是一家射频氮化镓芯片制造服务商。他们自主研发构筑了完整的氮化镓功率芯片技术体系，包括：外延生长、工艺开发、晶圆制造、封装测试及可靠性等方面，具有0.45μm、0.25μm、0.15μm、0.1μm工艺制程能力。
能讯半导体自2025年12月以来，实现了多项突破：
2026年1月：
西安电子科技大学联合能讯半导体在IEDM发布超高功率密度GaN射频器件技术，在10GHz工作频率、115V高漏压条件下，实验器件输出了41W/mm的饱和功率密度。
2025年12月：
能讯半导体8英寸氮化镓晶圆制造项目签约落户安徽池州经开区。
2025年12月：
小米集团手机部与能讯半导体、香港科技大学联合发表论文，透露其开发了应用于移动终端的高效率低压硅基氮化镓射频功率放大器。

氮化镓未来会是电池储能行业的主流吗？
氮化镓（GaN）在电池储能行业不会成为唯一的主流，而是与碳化硅（SiC）形成互补共存的格局。其核心价值在于高频、高效和小型化，主要适用于特定细分领域。
一、 应用领域：高频与便携场景的“利器”
1、便携储能与户用储能：GaN的高开关频率（可达MHz级）能显著缩小电感、电容等无源器件的体积，实现“巴掌大”的逆变器，完美契合便携储能对轻量化的需求。
2、高频DC-DC变换器：在储能变流器（PCS）的DC-DC环节，GaN能实现高达98%以上的转换效率，大幅降低系统损耗，提升能源利用率。
3、电池化成与BMS：GaN器件在电池生产线的化成设备中能降低电耗；在BMS中，其双向导通特性可简化电路设计，提升保护响应速度。
二、 发展前景：大有可为，但非“通吃”
1、技术互补性：GaN擅长高频（<900V），而碳化硅（SiC）擅长高压（>1000V）。在工商业大功率储能和高压并网场景中，SiC仍是主流；GaN则主导小功率、高频应用。
2、成本与供应链成熟度：随着8英寸硅基氮化镓晶圆量产，GaN成本正快速下降，供应链成熟度提升，使其在消费级和中小功率储能市场渗透率加速。
3、系统集成优势：GaN的高功率密度特性（>1.2kW/L）推动了储能系统向小型化、模块化发展，是未来分布式储能和光储一体化的重要技术支撑。

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来源：广州光亚法兰克福展览有限公司

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