在上海,全球首条35微米功率半导体超薄晶圆产线建成投产_PCIM上海半导体展

全球首条35微米功率半导体超薄晶圆工艺及封装测试生产线由尼西半导体科技（上海）有限公司打造，已建成投产，这一突破填补了国内相关制造领域空白，标志着我国功率半导体超薄晶圆技术迈入规模化量产新阶段。
专注于半导体封装、测试及晶圆制造的尼西半导体，产品广泛应用于消费类电子产品领域，此次投产的产线是其核心生产基地的重要升级项目。
该产线实现工艺与封装测试一体化，厚度仅35微米的超薄晶圆让功率芯片的导通电阻和热阻大幅降低，显著提升了器件的能效与散热性能，为新能源汽车、5G基站等高功率密度应用场景提供了核心支撑。
该产线将晶圆加工从“被动减薄”升级为“主动功能化”，使芯片在电热性能、封装密度上同步提升，为国产器件进入高压平台、快充等市场提供了量产底座。

35微米功率半导体超薄晶圆可以运用在哪些工业领域呢？
35微米功率半导体超薄晶圆凭借其极低的导通电阻（Rds(on)）和热阻，以及优异的双面散热能力，主要应用于对功率密度、能效及体积要求极高的工业领域。
1、新能源汽车电控系统：
用于主驱逆变器、车载充电机（OBC）及DC-DC转换器。超薄晶圆显著降低开关损耗与温升，提升电机驱动效率，并支持模块小型化，助力电控单元减重约3公斤，满足800V高压平台需求。
2、5G通信基站电源：
应用于AAU（有源天线单元）的GaN/SiC功率放大器及基站电源模块。极薄结构缩短载流子渡越时间，提升高频开关性能，同时双面散热设计解决高功率密度下的散热瓶颈，保障基站长期稳定运行。
3、工业变频与伺服驱动：
用于工业变频器、伺服驱动器中的IGBT模块。降低热阻60%以上，大幅提升功率循环寿命（约5倍），满足重载工业设备对高可靠性与长寿命的要求。
4、高端消费电子快充：
应用于手机/笔记本超薄快充模块及无线充电芯片。利用其高集成度（同等面积芯片产出量增20%），将快充模块体积缩减一半，实现百瓦级功率的极致小型化。
5、光伏与储能逆变器：
用于组串式逆变器及储能变流器的功率器件。通过降低导通损耗提升MPPT效率，并利用优异的散热性能应对户外高温高湿环境，提升系统发电量与寿命。

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来源：广州光亚法兰克福展览有限公司

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