超芯星推出8mΩ·cm低阻碳化硅衬底_pcimasia碳化硅展

近日，江苏超芯星半导体有限公司(Hypersics Co.,Ltd)宣布成功推出新一代8mΩ·cm低阻碳化硅(SiC)衬底。这一创新产品凭借其卓越的晶质，为下游客户带来了显著的四大核心变革，标志着碳化硅材料技术的又一次重大突破。

四大核心变革，开启行业新纪元

新一代8mΩ·cm低阻碳化硅(SiC)衬底的推出，为行业带来了显著的四大核心变革：

1、导通损耗大幅降低，系统效率显著提升

新一代低阻碳化硅衬底的导通损耗大幅降低，使得整个系统的效率显著提升。这意味着在相同的输入功率下，输出功率更高，能源利用效率更高，为下游客户带来了更高的经济效益。

2、运行温度显著下降，可靠性增强，功率密度再突破

新一代碳化硅衬底的运行温度显著下降，显著增强了系统的可靠性。同时，功率密度进一步突破，使得设备在更小的体积内能够输出更高的功率，为产品的小型化和高性能化提供了可能。

3、开关性能明显优化，响应更快、损耗更低

新一代碳化硅衬底的开关性能明显优化，响应速度更快，损耗更低。这使得设备在高频开关应用中表现更加出色，适用于更广泛的工业和消费电子领域，进一步拓展了碳化硅材料的应用范围。

4、整体成本更具竞争力，为产品升级预留更大空间

新一代碳化硅衬底的整体成本更具竞争力，为产品的升级和创新预留了更大的空间。这不仅有助于客户降低生产成本，还能推动整个行业的技术进步和产品升级。

公司背景与技术实力

超芯星成立于2019年4月，专注于碳化硅(SiC)衬底全产业链的研发与生产，覆盖设备、粉料、晶体生长、晶体加工及晶片检测全流程。公司凭借其深厚的技术积累和创新能力，在碳化硅材料领域取得了显著的成就。

近期，超芯星完成了数亿元C轮融资，进一步巩固了其在行业内的领先地位。公司已实现6英寸车规级碳化硅衬底的量产出货，并与国内知名下游客户签订了8英寸碳化硅深度战略合作协议，展现了其强大的市场竞争力和行业影响力。

未来展望

超芯星半导体创始人兼董事长刘欣宇曾表示，公司将加大在碳化硅材料研发方面的投入，进一步提升产品的性能和质量，拓展应用领域。同时，公司也将积极与国内外科研机构、高校和企业开展合作，共同推动碳化硅材料技术的不断创新和进步，助力全球半导体产业的可持续发展。

新一代8mΩ·cm低阻碳化硅衬底的推出，不仅是超芯星技术创新的成果，更是碳化硅材料技术发展的新里程碑。随着技术的不断进步和市场的不断拓展，超芯星将继续引领行业变革，为全球半导体产业的可持续发展贡献力量。

来源：pcimasia碳化硅展

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