瀚天天成12英寸碳化硅外延晶片全球首发,这意味着我国在SiC技术上取得了重磅突破!相比较过往主流的 150mm(6
英寸)碳化硅外延晶片,以及目前尚处产业化推进阶段的 200mm(8 英寸)产品,300mm(12
英寸)晶片在相同生产工序下单片可承载的芯片(器件)数量实现大幅提升,依托的是直径的显著扩容。在相同生产工序下,其单片可承载的芯片(器件)数量较6英寸晶片提升至4.4倍,较8英寸晶片提升至
2.3 倍。
12吋SiC外延的生产成功有多了不起
12英寸碳化硅(SiC)外延晶片的成功量产,是一项具有全球里程碑意义的“硬核”突破。
成本与效率的“倍增”革命
全球首款12英寸高质量SiC外延晶片。在相同生产工序下,其单片可承载的芯片(器件)数量较6英寸晶片提升至4.4倍,较8英寸晶片提升至 2.3 倍。这意味着在几乎相同的能耗和工序下,产量呈几何级数增长,单位制造成本预计可降低很多,将加速SiC从“高端奢侈品”变为“大众消费品”。
极致的工艺控制难度
碳化硅本身硬度仅次于金刚石,大尺寸化极易产生缺陷。此次突破不仅实现了“做大”,还做到了“做精”。
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来源:广州光亚法兰克福展览有限公司
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