碳化硅（SiC）技术让新能源车跑得更久更远,解码SiC技术_碳化硅技术展

EVH 2025第八届全球动力总成&海陆空驱动系统年会于2025年12月4-5日在上海举行。智新科技研发中心电控研发总师张兴林受邀出席功率半导体主题论坛，并带来了一场关于SiC技术的“全景式思考盛宴”！
凭借高耐压、高频率、低损耗等特性，碳化硅（SiC）技术在800V高压平台渐成主流的今天，也为800V～1000V平台快充功能提供关键支持。如今已经成为逆变器、车载充电机到直流转换器的关键技术。
碳化硅（SiC）技术三层升级更强大
芯片层级：
沟槽栅技术提升，SiC MOSFET尺寸微缩至1.8µm，导通电阻大幅降低，拥有更强的高温性能。
功率模块层级：
创新SiC芯片嵌入式PCB系统级技术（CIPB），功率密度提高60%，逆变砖体积缩小30%，杂散电感降低超60%。
逆变器应用层级：
应用最优脉冲模式（OPP）和区间动态变频策略，精准消除电机低次谐波，CLTC工况下系统效率再上新台阶。

AI加持让逆变器的智能性和可靠性提升
为进一步提升逆变器的智能性和可靠性，智新科技提出智能驱动强度可调节技术、碳化硅AI健康诊断预测系统两大“黑科技”
智能驱动强度可调节技术：
系统根据电压动态调节开关参数，再提升2%逆变器效率。
碳化硅AI健康诊断预测系统：
实时监测+AI预测，提前发现潜在故障。

第三代宽禁带半导体的核心代表碳化硅（SiC）让新能源车跑得更久更远
碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体的核心代表，确实能让新能源车“跑得更久更远”。
它主要通过以下方式提升车辆性能：
提升续航：
SiC器件（如MOSFET）的开关损耗和导通损耗远低于传统硅基器件（如IGBT）。应用在电驱系统中，能将系统效率提升约5%-10%，从而直接增加电动车的续航里程（普遍可提升5%-15%）。
加快充电：
它耐高压、耐高温的特性，使其成为800V高压快充平台的理想选择，能显著缩短充电时间。
轻量化：
SiC支持更高的开关频率，使得电感、电容等被动元件可以做得更小，有助于减轻车身重量，进一步降低能耗。

来源：广州光亚法兰克福展览有限公司

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