强强联手!将驱动芯片与封装领域的优势和大规模8英寸氮化镓晶圆制造能力深度结合

根据充电头网消息，安森美已与英诺赛科已于12月3日签署合作备忘录，拟基于英诺赛科成熟的8英寸硅基氮化镓工艺，评估扩展40~200V氮化镓功率器件应用的机会，并计划深度结合安森美在系统集成、驱动芯片与封装领域的优势和英诺赛科的大规模8英寸氮化镓晶圆制造能力。
传统的硅基器件（如MOSFET、IGBT）已经发展了数十年，其性能正在触及由物理材料特性决定的“天花板”。正是为了突破这些限制，行业正在加速向第三代半导体（GaN氮化镓和SiC碳化硅）转型，利用它们更优的物理特性来打破硅基器件的性能瓶颈。
物理极限的束缚
硅材料的禁带宽度有限，这直接限制了它能承受的电压、频率和温度。为了追求更高的功率，硅基器件不得不增加体积（如加厚漂移区），但这反而导致了导通电阻增大和开关速度变慢。目前，通过优化硅工艺来提升效率的空间已经非常小了。
开关速度与损耗的矛盾
在高功率密度需求下，电源系统需要更高的开关频率。但硅器件在高频下会产生巨大的开关损耗和热量。例如，硅基IGBT关断时存在“拖尾电流”，导致损耗剧增，迫使开关频率只能维持在较低水平（如10-20kHz），无法满足现代快充、AI服务器等对“小体积、大功率”的极致需求。
体积难以进一步压缩
由于硅器件的能效比难以提升，大量的电能转化为热量，因此必须配备巨大的散热系统。同时，低频特性要求使用体积庞大的磁性元件（电感、变压器）。这使得整个电源系统的功率密度（瓦特/立方英寸）难以实现突破性增长，无法适应设备越来越轻薄、紧凑的发展趋势。

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来源：广州光亚法兰克福展览有限公司

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