总投资达7.6亿,这两个碳化硅项目推进中_碳化硅技术pcim展

韩国东部高科、韩国政府近期公布了多个碳化硅扩产/量产计划，总投资超7.6亿元。
东部高科以超5.7亿元扩大SiC产能
在韩国政府12月10日举行的“韩国半导体愿景与推进战略报告”会议上，韩国东部高科（DB Hitech）CEO赵基硕表示他们需要扩大碳化硅产能，以响应市场需求，并请求政府支持扩大8英寸碳化硅产能并开发下一代功率半导体。
在会议的现场，赵基硕透露东部高科的投资计划：东部高科目前正在投资1200亿韩元（约合人民币5.73亿）开发碳化硅工艺，其目标是在2026年底前完成开发。东部高科在未来的五年还计划1.5万亿韩元（约合人民币71.63亿）用于扩建洁净室设施、扩大高功率BCD工艺产能，并建立碳化硅（SiC）量产系统。
赵基硕强调说韩国建立碳化硅量产体系迫在眉睫，需要韩国政府各部门的积极支持，如果韩国政府正在设立的150万亿韩元（约合人民币7162.51亿）的国家增长基金，那么希望它能考虑投向东部高科。
东部高科据“行家说三代半”报道，早在今年2月就通过全自主工艺实现了8英寸SiC晶圆的生产与验证。
8英寸SiC晶圆一般应用在什么领域呢？
8英寸SiC凭借其优异的物理特性，正在逐步取代传统的硅基器件，在高电压、大功率、高频的应用场景中发挥着越来越重要的作用。
新能源汽车（核心领域）：
这是8英寸SiC最大的应用市场。它被用于制造800V高压平台的电驱系统、车载充电机和直流转换器。SiC器件能显著提升电动汽车的续航里程，加快充电速度，并降低电池成本。
光伏发电与储能：
在光伏逆变器和储能系统中，SiC器件能适应更高的系统电压（如1500V甚至2000V），提高能源转换效率，降低系统热管理成本，助力清洁能源的发展。
消费电子与AR/VR：
随着AR眼镜等可穿戴设备的发展，8英寸SiC衬底因其优异的光学性能和散热能力，被用于制造AR眼镜的光波导镜片，解决传统设备视场角窄、散热差等问题。
工业与数据中心：
用于服务器电源、工业电机驱动等，利用其高频、低损耗的特性，提高设备功率密度和运行效率。

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来源：广州光亚法兰克福展览有限公司

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