英诺赛科第三代700V GaN全面上市_氮化镓展pcimasia

近日，英诺赛科第三代700V增强型氮化镓功率器件系列正式推向市场。与上一代Gen2.5产品相比，Gen3系列在核心性能方面取得了显著进步。

在芯片设计方面，Gen3系列的芯片面积减少了30%，这不仅提高了硅片的利用率，还为更高功率密度的设计提供了支持。在开关性能上，Gen3系列实现了20%-30%的提升，器件电容降低了20%-30%，这使得开关与驱动损耗大幅降低，系统效率得到显著提高。同时，热性能也得到了优化，在相同的应用条件下，芯片壳温可降低3-6℃，从而增强了产品的长期运行可靠性。

Gen3系列提供了多种封装形式，包括DFN5x6、DFN8x8、TO252和SOT223等，以满足不同应用场景对紧凑设计、平衡性能和高散热的需求。其中，旗舰型号INN700TK100E采用了TO252封装，其典型导通电阻低至74mΩ，能够高效支持高达500W的功率应用。

得益于更低的导通电阻和开关损耗，Gen3 700V系列在PD快充、高功率适配器、LED驱动、电源、智能家电、服务器电源以及工业SMPS等多个领域实现了更高效率和更小尺寸的设计。通过核心参数的优化，Gen3系列帮助工程师提升了系统能效，降低了器件温度，节省了空间和成本，并且提供了标准封装，简化了设计升级的路径。

英诺赛科Gen3 700V GaN功率器件以更小的尺寸、更快的速度、更高的效率以及优化的热管理，为实现高功率密度和高系统效率的设计提供了理想的解决方案，为相关行业的发展注入了新的动力。

来源：氮化镓展pcimasia

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