下半年如期量产2纳米制程，台积电宣布良率超预期_pcimasia半导体展会行业资讯

台积电联合首席执行官魏哲家在一场技术论坛上宣布2纳米(N2)制程已取得突破性进展，目前在试产中的良率远超时间表。再次确立了领先优势，2025年下半年的大规模量产很有可能。

半导体的制程是真的有几纳米吗?是不是虚标?

半导体的制程并非完全对应真实的物理尺寸，而更多是一种技术代际的命名方式。

制程命名的演变

在半导体技术发展的早期阶段(90nm及之前)，工艺节点确实基本对应于MOSFET器件的关键几何尺寸，特别是最小栅极长度。比如90nm节点的栅极长度约为90nm，65nm节点约为65nm。 然而，随着技术发展到20nm以后，由于器件结构复杂化(高-κ金属栅、应变工程、FinFET等三维结构的引入)，不同器件参数间出现显著差异，"单一尺度"不再能够准确描述工艺水平。

现代制程命名的本质

当代的工艺节点更多是一种产业代际标签，其含义主要包括：

相对代际进步：7nm工艺必然优于10nm工艺，在晶体管密度、功耗和性能上体现综合优势

厂商间差异化：不同厂商的同名工艺在晶体管密度、性能功耗指标上存在差异

市场化因素：节点命名具有一定营销属性，用于强调先进性和工艺领先

实际物理尺寸情况

以"7nm工艺"为例，实际栅极长度通常在18-24nm范围内，金属层的最小间距、鳍片宽度、接触孔尺寸等参数均不等于"7nm"。同样，5nm工艺节点对应的晶体管导电沟道实际长度通常达18纳米，3nm对应16纳米等。

来源：广州光亚法兰克福展览有限公司

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