第三代半导体电力电子器件模组、封装和散热技术研讨会在北京召开

     1月12日下午，第三代半导体电力电子器件模组、封装和散热技术研讨会在北京召开，LED业内三安光电、鸿利光电、英飞凌等企业参加了研讨会。此次研讨会对基于第三代半导体的电力电子器件模组、封装和散热等主要技术的发展趋势和挑战的展开了激烈的讨论，对行业发展具有知道性意义。

    第三代半导体产业技术创新战略联盟技术委员会专家张国旗教授谈到，对基于第三代半导体的电力电子器件模组、封装和散热等主要技术的发展趋势和挑战的讨论，并就第三代半导体产业技术创新战略联盟未来的发展方向及规划进行探讨。另外张国旗教授提出了三个目的，一是希望能够把国内电力电子器件模组、封装和散热技术方面的专家固化下来，并成立一个工作小组或者技术委员会，固化的团队能为联盟和国家技术和产业的战略发展提供一些建议;二是今年下半年北京有一个科技部和北京市联合主办的国际技术转移大会，去年是国家总理和科技部部长都会出席，今年大会主题就是第三代，所以想把固化的团队筹划一个国际高水平技术分会。三是美国电气和电子工程师协会(IEEE)电力电子学会(PELS)下设一个ITRW分会，准备筹备一个电力电子器件模组、封装和散热技术工作小组，希望把国内固化的团队直接对接到国际组织中去。

    科技部高新技术发展及产业化司材料处副调研员孟徽表示，从国家角度，国家非常重视第三代半导体产业发展，尤其是应用方面，希望企业抓住第三代半导体产业机遇，全面推动产业产学研用创新驱动发展。过去谈到电子，更多的是想到微电子，前些年国家也是在微电子这块做了巨大投入，但是在电力电子这块国家关注相对不够，从国家发展来讲，如果微电子作为一个人的大脑，那么电力电子就应该是一个人的脊梁和筋骨。所以，希望在第三代半导体转型和跨界的阶段，我们能够抓住机遇，也能有加大的投入。从科技部角度，现在也在进行中央财政科技计划改革，目前科技部在重点研发计划方向上和“十三五”科技规划中，在战略性新兴电子材料把第三代半导体材料和半导体照明作为一个核心的方向之一，也对电力电子器件有所部署，也明确了这部分工作要有企业牵头，也希望相关的企业能够积极参与，能为第三代半导体专项贡献一份力量。

    吴玲理事长表示，国家在转型升级、绿色、智能发展的主题背景下有诸多需求，市场培育，标准制定，行业共性关键技术等方面，能够为第三代半导体的发展起到真实的支撑作用。但是要众人拾柴火焰高，要大家共同参与，一定要把握住产业机遇，抢占第三代半导体产业制高点，重塑全球半导体产业新格局。第一、二代要携手迈进第三代，虽然差异不大，但第三代半导体市场需求很大。中国高铁是中国一张很亮名牌，但接下来是什么能源物联、武器、互联网+等需要碳化硅器件的支撑，我们能不能做好当然硅器件也在进步，还需要大家携手共同努力，我们要做的是一个百年的重振全球半导体产业格局的事。

    天津大学梅云辉博士分享了《宽禁带功率半导体器件封装的机遇与挑战》主题报告。梅云辉博士首先对微电子封装到电力电子封装上认识上有一定的偏差做了简单介绍，并对宽禁带功率半导体器件封装的问题及机遇与挑战做了详细介绍。英飞凌工业功率控制事业部马国伟博士分享了《硅及碳化硅大功率半导体器件技术前沿及发展方向》主题报告。马国伟博士对SiC肖特基技术、SiCJFET基本概念，优点及缺点及工作情况及现状，SiC相关的封装高温和快速开关问题进行详细介绍。

    香港应用科技研究院研发总监史训清博士带来了《电力电子的发展机遇和挑战》主题报告。史训清博士表示，未来三大技术方向是智能城市、穿戴电子、工业4.0;电力智能化是基础和关键是发电、传输、分配、使用和存储是要点;电力电子的机会和挑战是巨大的市场空间、欧美都在起步阶段;电力电子、微电子和传感器技术融合;新材料、新工艺、新拓扑、三维集成、热管理。

    国网智能电网研究院微电子研究所温家良副所长在《智能电网和能源互联网用IGBT》报告中介绍了对智能电网和能源互联网的发展趋势、电网建设对IGBT的市场需求、电网用IGBT的技术需求及智能电网和能源互联网用IGBT的前景四部分进行了介绍。温家良副所长表示，未来20年，柔性直流输电技术将迎来巨大的发展机遇，柔性直流输电工程将近300个，势必给电网应用的高压大功率IGBT带来井喷式增长需求---3300V/1500A及以上等级IGBT器件需求将达到近500万只，市场容量将近1000亿元。

    电源模块是一切电子设备的动力核心;针对未来大数据、云计算及高速通讯领域的电源的要求更加严格。广晟集团风华研究院院长付振晓博士接介绍了《高密度封装电源模块》主题报告，2012年全球电源模块市场份额为1807亿元人民币，其中通信行业占16%，即288亿元。中国通信类电源在全球市场占比不到10%。需要开发下一代智能电源模块以满足高速通讯领域下一代产品在小型化、集成化及绿色化方面的需求。传统电源模块体积大、效率低、热功耗高，难以在极端条件下工作à成为高功率密度电子产业的瓶颈。行业的发展需要下一代电源解决：高温工作和提高转换效率及集成密度。

    目前，国外开关电源模块，研发及生产力度均大于国内，技术略早于国内;国内开关电源模块技术研发力度近年一直呈上升趋势;开关电源模块技术在全球市场需求的推动下，近几年来呈现了爆发式增长。

    通过对第三代半导体器件，高温互连技术及三维系统级封装技术的研发，建立下一代电源模块由设计到量产的技术平台。集成第三代功率开关器件及智能电路的单封装化小型智能电源模块，以提高电能转换效率至95%;可工作在极端环境;满足高速通信等领域的应用需求。

    中国科学院微电子研究所许恒宇副研究员分享了《碳化硅器件制造工艺的进展和对封装的要求》。他表示，SiC器件市场已经超预期的良性发展，单极型中低压SiC器件的产业化有望，SiC-SBD已经处理量产化阶段;SiC-MOSFET栅氧可靠性问题亟待解决。双极型SiC器件的关键问题需要突破，厚外延材料载流子寿命、缺陷密度等;通过工艺技术来弥补厚外延材料存在问题等等。

    最后一个分享者，是第三代半导体产业技术创新战略联盟技术委员会专家张国旗教授，他简要介绍了国际宽禁带半导体技术路线图委员会。在研讨会最后讨论环节，与会专家及企业家对研讨会所提技术问题进行针对***流和探讨。