一文了解2022年中国光模块国产化情况与研发现状 国内高端光芯片国产化进程亟待加快 - 上海电力电子展

本文核心数据：光通信器件成本结构、高端光芯片产品研发情况等。

光芯片是光器件的核心零部件

        光芯片主要用于光电信号转换，，遵循“Chip-OSA-Transceiver”的封装顺序，激光器芯片(Chip)通过传统的TO封装或新兴的多模COB封装形式制成光模块(Transceiver)。在光通信系统中，常用的核心光芯片主要包括DFB、EML、VCSEL 三种类型，分别应用于不同传输距离和成本敏感度的应用场景。

        光通信器件根据其物理形态的不同，一般可以分为：芯片、光有源器件、光无源器件、光模块与子系统这四大类，其中，光芯片为光器件(光有源器件和光无源器件)的重要组成部分，而光器件是光模块的重要组成部分。

        光芯片的生产流程基本可以分为芯片设计、基板制造、磊晶成长和晶粒制造四个流程，可见其技术壁垒较高，其生产流程具体如下：

国内高速光芯片国产化率低

        根据我国光芯片研发能力和出货能力，目前我国光芯片供应商共分为三个梯队。第一梯队主要为华为海思、光迅科技和敏芯半导体等，具有一定研发高端光芯片的能力;第二梯队中，海信宽带、中科光芯和陕西源杰等企业对中低端光芯片有较好的出货能力;第三梯队则为其他低速光芯片厂商。

        目前，高速光芯片核心技术主要掌握在美日厂商手中。2018年1月，工信部颁布《光器件产业发展路线图(2018-2022年)》，将光芯片国产化上升为国家战略。而中美贸易摩擦与中兴禁售事件或将促使中国加大力度扶持高速光芯片，国产化进程有望进一步提速。

目前中国核心光芯片及电芯片国内外产品化能力对比如下：

国内高端光芯片多在研发阶段

        目前，我国高端光模块上游光芯片仍然受限于海外领先企业，以100Gb/s 10/40km光模块核心光芯片53G Baud为例，目前我国大部分头部企业仍在研发阶段，而以SEDI等为代表的国际领先厂家已经基本度过样品阶段实现了规模化量产。

光芯片发展趋势

        从中国光芯片的发展趋势以及历年光芯片市场规模变化情况来看，未来五年中国光芯片产业仍将快速发展。尽管低端光芯片市场竞争较为激烈，但行业前景较好，政策支持力度强，未来仍将有大量企业入局，随着光模块行业龙头效应愈加明显，我国高端光芯片国产替代率也将稳步提升。

        以上数据参考前瞻产业研究院《中国光模块行业市场前瞻与投资战略规划分析报告》，同时前瞻产业研究院还提供产业大数据、产业研究、产业链咨询、产业图谱、产业规划、园区规划、产业招商引资、IPO募投可研、IPO业务与技术撰写、IPO工作底稿咨询等解决方案。

    文章来源：百家号

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