新产品推介--从“芯”出发，扬眉兔气 - 上海pcim

2023上海国际电力元件、可再生能源管理展览会将行于8月29日至8月31日在上海新国际博览中心举行，邀您关注今日上海电子展新资讯：

近年来，随着全球电力消耗量的增加，如何有效利用电力已成为亟待解决的课题，在这种背景下，电动汽车充电桩、服务器和基站等工业设备以及空调等白色家电的效率不断提升，因此也就要求其中所用的功率器件进一步降低功率损耗。

为了满足这一行业需求，专注于电力电子行业，可再生能源管理技术的PCIM Asia 的展商们为大家带来新的产品技术以及解决方案，在降耗提效方面取得新的突破，下面就由东芝半导体、罗姆半导体及英诺赛科为大家展示新产品： 

新品推介：直流无刷电机驱动TB67B001BFTG

东芝推出的直流无刷电机驱动新产品TB67B001BFTG，是一款适用于无传感器3相无刷PWM斩波电机驱动IC，其通过改变PWM占空比，就可以控制电机的转速。

驱动器的功能特性分析

新品TB67B001BFTG是内置高频振荡器，支持高速控制功能的3相直流无刷电机驱动IC。它采用东芝的双扩散型MOSFET——DMOSFET作为输出功率晶体管，最高额定输出电压为25V，最大额定输出电流为3A。

此外，TB67B001BFTG还内置了超过最大旋转频率的异常旋转频率检测功能，异常旋转检测频率最大为1.875kHz，比现有产品TB67B001FTG提高了25%，可以实现更高转速的电机控制。

TB67B001BFTG引脚配置图

该产品采用QFN36封装，引脚和封装与TB67B001FTG兼容，可用在与现有产品相同的环境中，便于替换。此外，尽管采用了小型封装，这款电机驱动IC输出导通电阻仍为0.6Ω（RON(H)（典型值）+RON(L)（典型值），有助于减少发热量。

驱动器的主要特性

直流无刷电机驱动IC TB67B001BFTG的特性如下：

• 在3相全波模式下，可实现无霍尔传感器120／135／150度方波驱动，驱动1个无刷电机

• 电流输出绝对最大额定值3A，电源绝对最大额定值25V

• 转速控制命令可选PWM脉冲占空比输入或模拟电压输入

• 具有超前角控制、重叠换向功能，可选择软开关

• 内置多种安全功能，包括热关断、过流检测、欠压锁定、堵转检测

• 小型封装QFN36：5mm×5mm(典型值)

以下是TB67B001BFTG的主要规格：

TB67B001BFTG规格图

产品亮点及应用方向：

TB67B001BFTG的最大亮点在于它是东芝上一代产品TB67B001FTG的升级产品，在驱动高速电机的性能方面有很大提升，同时引脚和封装与现有产品TB67B001FTG兼容，因此可以直接替代。

由于TB67B001BFTG适用于高速电机控制，同时支持5.5V至22V电机供电压范围，因此它不仅可用于服务器风扇、净化器风扇、扫地机器人等消费类产品中应用，也是低压水泵、低压空气泵、小风扇的电机选型的理想选择。

新品推介:PrestoMOS™产品新增R60xxVNx 系列

全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS™”产品阵容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款机型，新产品非常适用于电动汽车充电桩、服务器、基站等需要大功率的工业设备的电源电路、以及空调等因节能趋势而采用变频技术的白色家电的电机驱动。

产品亮点及应用方向：

1．实现业界超快的反向恢复时间，同时实现业界超低的导通电阻

PrestoMOS™“R60xxVNx系列”通过采用ROHM新工艺降低了单位面积的导通电阻。由于与反向恢复时间之间存在权衡关系而很难同时兼顾的导通电阻，与同等普通产品相比，最多可减少20%（与TO-220FM同等封装产品相比），有助于进一步降低各种应用产品的功耗。

2．具有业界超快的反向恢复时间，开关损耗更低

通常，当工艺向更微细的方向发展时，导通电阻等基本性能会得到改善，但与之存在此消彼长关系的反向恢复时间会变差。而ROHM的PrestoMOS™“R60xxVNx系列”采用自有的速度提升技术，实现了比同等普通产品更低的导通电阻的同时，还实现了业界超快的105ns（纳秒）反向恢复时间（与TO-220FM同等封装产品比较）。由于抑制了额外的电流量，因此与同等的普通产品相比，开关过程中的功率损耗可以降低约17%。相比之下，包括“R60xxYNx系列”在内的标准型且相同导通电阻产品的反向恢复时间约300～400ns（纳秒）。

3.应用示例

■电动汽车充电桩、服务器、基站、光伏逆变器（功率调节器）、不间断电源（UPS）等
■空调等白色家电
■其他各种设备的电机驱动和电源电路等

新品推介:100V半桥氮化镓功率芯片新品-ISG3201

为进一步提升数据中心模块电源、电机驱动、D类功率放大器、光伏逆变器及轻混电动汽车等48V电源系统的整体性能，英诺赛科推出高集成半桥驱动功率芯片：Solid GaN系列之100V半桥氮化镓功率芯片新品—ISG3201。

产品概述：

ISG3201是一颗耐压100V的半桥氮化镓芯片，其内部集成了2颗100V，导阻3.2mΩ的增强型氮化镓和1颗100V半桥驱动，凭借内部集成驱动省器去了外部钳位电路，能够显著降低关联的寄生参数；同时，该芯片还具有独立的高侧和低侧PWM信号输入，并支持TTL电平驱动，可由专用控制器或通用MCU进行驱动控制。

英诺赛科产品设计高级总监田水林博士表示：“ISG320x系列产品是英诺赛科主推的100V高功率密度GaN系列模块产品，该产品系列将半桥驱动和两颗GaN HEMT以及外围元器件高度集成，大大简化了电路设计。首发模块产品ISG3201面积（5x6.5）仅略大于单颗标准5x6 Si器件，有效减小了PCB板面积。优化的模块引脚设计显著减小了主功率寄生参数以及由此引起的电压尖峰，进一步提高了系统性能和可靠性。该系列产品是数据中心模块电源，电机驱动以及D类功率放大器等48V电源系统的最佳选择。

产品特性：

• 高集成半桥驱动：2颗100V增强型氮化镓及1颗100V半桥驱动

• 耐压100V，导通电阻3.2mΩ

• 60A持续电流能力

• 零反向恢复

• 5*6.5*1.08 mm封装

产品优势：

• 支持100V高边电压

• 集成驱动简化外围电路

• 大幅降低栅极和功率回路寄生电感

• 减小占板面积73%（VS Si）

• 提升系统效率及功率密度

• 更大散热面积，有效降低温升

应用领域：

ISG3201简化了低压氮化镓芯片在48V以及更低电压系统中的应用，可便捷搭配多种控制器，满足多场景应用需求，有效提升系统效率、降低系统能耗。

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以上为PCIM Asia的参展企业发布的针对工业及消费电子产品推出的新品。PCIM Asia 2023展会现场重点推介SiC/GaN/IGBT/MOSFET等功率半导体器件产品，以及在新能源汽车、充电桩、工业电机驱动、电源电路、大功率应用、变频家电等多个场景的技术解决方案，期待您的参与。

    文章来源： PCIM电力元件可再生能源管理展

2023上海国际电力元件、可再生能源管理展览会将于2023年8月29日至8月31日在在上海新国际博览中心举行；上海电子展更多资讯，详情请登陆官网 https://pcim.gymf.com.cn