英诺赛科推出多款高效方案，为前沿应用提供重要参考价值 - 电力电子展

2023上海国际电力元件、可再生能源管理展览会将行于8月29日至8月31日在上海新国际博览中心举行，邀您关注今日上海电子展新资讯：

摘要

近期，英诺赛科针对消费电子、数据中心、自动驾驶领域推出了多款解决方案。氮化镓作为新型半导体材料，它的每一次迭代都极大地赋能了电力电子技术的发展。英诺赛科作为引领行业生态的GaN IDM企业，已经向市场交付了超过1亿颗氮化镓芯片，产品性能和可靠性得到客户认可。在上下游企业的协同合作下，英诺赛科推出了多款高效解决方案，对前沿领域的应用而言具备十分重要的参考价值。

英诺赛科针对生活场景设计的解决方案

01

超迷你33W 1A1C 快充

对比同尺寸20W Si 方案，功率提升至33W，功率密度提高60%。结构简洁，效率领先，支持手机、平板快充。

GaN：INN650DA04*1

尺寸：26.5mm*26.5mm*26.5mm

效率：92%@90Vac；92.9%@230Vac

功率密度：29W/in^3

02

全球首款65W AllGaN方案

在高压侧和低压侧同时采用氮化镓芯片，开拓了全氮化镓在快充领域的应用，并助力安克GaN Prime 系列的All-GaN产品全球首发。

GaN：INN650DA260A*1，INN150LA070A*1

尺寸：26mm*27mm*48.7mm

效率：93.4%@90Vac；94.6%@230Vac

功率密度：31W/in^3

03

120W PD 快充，突破瞬时大功率瓶颈，功率密度遥遥领先

120W PD方案利用GaN 平面结构的特点，Source极接散热PAD，增强散热的同时EMI的噪声优化到最小，很好的解决了低压满载散热问题，使功率密度在业内遥遥领先，支持手机、平板、笔记本电脑快充。

GaN：INN650TK240*1

尺寸：56mm*46mm*20mm

效率：89.7%@90Vac；93.8%@230Vac

功率密度：38W/in^3

04

140W AllGaN方案，为PD3.1而生

效率高达95%，采用最新的AHB拓扑架构，结合高、低压氮化镓卓越的性能，推动系统效率和功率密度迈向新高度，实现PD3.1更好的充电体验。

GaN：INN650D150A*1，INN650DA150A*2，INN150LA070A*2

尺寸：60mm*60mm*20mm

效率：94.2%@90Vac；95.2%@230Vac

功率密度：31W/in^3

05

140W AllGaN-QR，高效+高性价比解决方案

采用双面板设计的140W AllGaN-QR方案，有效解决系统温升难题，为客户提供高效率、高性价比PD3.1的解决方案。

GaN：INN650D150A*2pcs，INN150LA070A*1pcs

尺寸：85mm*50mm*23mm

效率：93%@90Vac；94.8%@230Vac

功率密度：23.5W/in^3

06

240W PD3.1 AllGaN方案，尺寸仅银行卡大小

高压和低压氮化镓相结合的AllGaN方案，采用图腾柱PFC+LLC拓扑，解决了低压温升难题，为手机、笔电、电动工具、游戏机等提供行业最高效率解决方案。

GaN：INN650D080S*4，INN650DA260A*2，INN150LA070A*2

尺寸：85.5mm*58mm*20.5mm

效率：95%@90Vac；96.7%@230Vac

功率密度：38.7W/in^3

07

300W 高功率GaN适配器方案

采用双面板简洁设计，同等规格下功率密度和效率领先，开拓了氮化镓在适配器市场的应用，为电视、电动工具、投影仪、笔电等家用电器提供高效方案。

GaN：INN650D150A*2，INN650DA150A*2

尺寸：158mm*60.5mm*22mm

效率：93.5%@90Vac；95.7%@230Vac

功率密度：23.4W/in^3

08

200W 多口便捷快充方案

利用氮化镓开关损耗低的优势，解决温升高的难题，多口输出，满足手机、平板、笔记本电脑同时充电的需求。

GaN：INN650D150A*2，INN650D260A*2

尺寸：75mm*75mm*23.5mm

效率：93.5%@90Vac；96.4%@230Vac

功率密度：24W/in^3

09

200W超薄 LED电源方案

业内效率与功率密度最高，利用平面变压器打造出厚度仅13mm的200W 电源设计方案，为高效率、小型化的LED设备提供完美参考。

GaN: INN650D150A*1，INN650D260A*2

尺寸：196mm*35mm*13mm

效率：95.7%@230Vac

功率密度：35W/in^3

10

突破行业极限，300W 超薄TV电源方案

利用氮化镓高频特性，实现平面变压器的超薄设计，突破行业极限，整个电源厚度仅8.5mm，完美契合超薄电视、显示屏等对产品厚度的严苛要求。

GaN：INN650D150A*2，INN650DA150A*2

尺寸：220mm*180mm*8.5mm

效率：95%@230Vac

功率密度：14.6W/in^3

英诺赛科针对数据中心和汽车电子开发的参考方案

01

80 PLUS 钛金级 2KW PSU 服务器电源

利用氮化镓高频特性，实现平面变压器的超薄设计，突破行业极限，整个电源厚度仅8.5mm，完美契合超薄电视、显示屏等对产品厚度的严苛要求。

GaN：

（1）LLC：INN650D080BS*2pcs

（2）PFC慢桥臂：INN650TA030AH*2pcs

（3）PFC快桥臂：INN650TA080AH*2pcs

尺寸：185mm*65mm*36mm

效率：96.2%

功率密度：76W/in3

02

600W 48V模块，打造绿色数据中心

采用业内领先的磁集成矩阵变压器设计，利用4颗低压GaN芯片开发的高功率密度高效率600W电源模块，用于高性能的48V中间母线功率转换，打造绿色数据中心。

GaN：INN100W12*4 pcs

尺寸:36mm*26mm*7mm

峰值效率：98.3%

功率密度：2021W/in^3

03

1000W 48V模块，让数据中心更高效

采用业内领先的磁集成矩阵变压器设计，搭载InnoGaN 半桥合封新品ISG3201，开发出更简洁，更高效率和功率密度电源模块，为更高效的数据中心助力。

GaN：ISG3201*2 pcs

INN040LA015A*8

尺寸：26mm*39mm*7.5mm

峰值效率：98.2%

功率密度：2600W/in3

04

双通道GaN激光雷达，探测距离更远，反应更灵敏

激光雷达方案采用共源双通道的INN100W14产品，在小于5ns脉冲宽度内最大实现90A峰值电流，使激光器达到更高功率，探测距离更远，可为多线激光雷达应用提供最优的解决方案。

GaN：INN100W14

峰值电流：90A

最小脉宽：<5ns

05

2400W 48V-12V 双向 DC/DC

英诺赛科采用低压氮化镓芯片设计的48V混动系统的先进解决方案，Buck满载效率比主流Si方案提升1.5%。为轻混、储能提供大功率、高效氮化镓方案参考。

GaN：INN100W032A*16 pcs

尺寸:

155mm*165mm*25mm

Boost峰值效率：96.53%

Buck满载效率：97.33%

功率密度：61.5W/in^3

06

针对车充、笔记本充电的150W Buck Boost

英诺赛科150W buck boost采用最新INN040FQ043A开发而成，器件尺寸仅为主流MOSFET DFN5*6封装的40%，在更高开关频率下进一步缩小电感尺寸，系统效率与温升表现明显优于主流MOSFET方案。开拓了氮化镓在车充、笔记本充电的市场。

GaN：INN040FQ043A*4 pcs

尺寸：65mm*65mm*6mm

峰值效率：98.1%@24Vin,19.2V/6A,600KHz

功率密度：97W/in^3

07

高效率1KW 电机驱动

采用英诺赛科最新发布的ISG3201半桥合封产品打造，为提升控制带宽、降低转矩脉动提供保障，峰值效率超99%。同时极大简化布板面积，让设计更简洁。

GaN：ISG3201*3 pcs

尺寸：95mm*74.5mm*45mm

峰值效率：＞99% @ 500W, 20kHz

据了解，除以上方案之外，英诺赛科还在同步开发数据中心领域的4KW PSU、Vcore、Hotswap评估板；新能源与储能领域的光伏微逆、移动储能模块；工业领域的电机驱动等领先于行业的高效方案。

    文章来源： PCIM电力元件可再生能源管理展

2023上海国际电力元件、可再生能源管理展览会将于2023年8月29日至8月31日在在上海新国际博览中心举行；上海电子展更多资讯，详情请登陆官网 https://pcim.gymf.com.cn