未来会以碳化硅优化硅基车规级半导体 - pcim展览会

IGBT模块，（Insulated Gate Bipolar Transistor）绝缘栅双极型晶体管，又称车规级功率半导体模块，由双极型三极管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOS）组成，特点是高输入阻抗和低导通压降，非常适用于直流电压600V及以上的变流系统，应用场景包括变频器、逆变焊机、电磁感应加热、工业电源等。

将多个IGBT芯片集成封装在一起形成IGBT模块，其功率更大、散热能力更强。IGBT模块被广泛应用于新能源汽车中的电机驱动系统中，主要用作新车的电池管理系统、电动控制系统、空调控制系统、充电系统等，可直接控制全车核心指标。IGBT是工业控制及自动化领域的核心元器件，也是国际上公认的电子革命中具有代表性的产品。

IGBT是近年来半导体和电动汽车的布局热点。在新能源汽车领域，续航焦虑一直是困扰整车企业和消费者的顽疾。在弥补IGBT的不足上，碳化硅将是一个有效的解决方案。

目前新能源汽车搭载的IGBT模块是以硅基材料为主，未来随着新能源汽车电池动力系统逐步往800V以上的高电压发展，第三代半导体材料碳化硅将在功率半导体市场“大显身手”。

与传统硅基材料相比，以碳化硅为代表的第三代半导体材料在高压的系统中有更好的性能体现，未来碳化硅功率半导体有望逐步替代部分IGBT、MOSFET等硅基功率半导体，在新能源汽车领域得到应用。