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在全球汽车电动化的浪潮下,汽车半导体领域的功率电子器件作为汽车电动化的核心部件,成为了车企和电机控制器企业关注的热点。车用功率模块已从硅基IGBT为主的时代,开始逐步进入以碳化硅MOSFET为核心的发展阶段。
那么又为何说碳化硅是未来呢?
碳化硅材料的耐高压、耐高温、高频特性相较于硅基器件能应用于更严苛的工况,可显著提高效率和功率密度,降低应用端的成本、体积和重量。其表现在:电子饱和漂移速率约是硅基材料的2倍;临界击穿场强约为硅基材料的10倍;碳化硅的禁带宽度约为硅基材料的3倍;热导率约是硅基材料的3倍。
电动汽车行业从发展到至今,行业最关心的就是续航里程,但影响其因素有很多:电池容量、车身重量、电力系统的电能转化效率等。而功率半导体是电能转换的核心,碳化硅功率器件比硅基器件有低导通损耗、高开关频率和高工作耐压等优势,能获得更高的系统电能转换效率,且在使得同等电量情况下,比使用硅基功率器件获得更多的续航里程。因此电动汽车对于碳化硅功率器件的应用需求日益凸显。
当前,新能源汽车产销两旺,汽车半导体产业正在成为全球集成电路行业发展的重要动力。功率半导体将成为单车成本最高的半导体,也是国内企业现阶段最有可能实现突破的汽车半导体领域,而碳化硅已毋庸置疑地成为了主要突破点。
随着新能源汽车的发展,以及国内芯片行业的崛起,我国将会在以碳化硅为代表的第三代半导体领域有很大的作为,不管是技术投入还是投资方面都有很大的建树,期待这个领域的长期发展。
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