碳化硅衬底分类及应用 - pcim展览会

碳化硅衬底可分为两类：

导电型衬底：指电阻率在 15~30mΩ·cm 的碳化硅衬底。由导电型碳化硅衬底生长出的碳化硅外延片可进一步制成功率器件，广泛应用于新能源汽车、光伏、智能电网、轨道交通领域。

半绝缘型衬底指电阻率高于 100000Ω·cm 的碳化硅衬底，主要用于制造氮化镓微波射频器

件，是无线通讯领域的基础性零部件。

碳化硅导电型及半绝缘型衬底在电子器件和功率器件中的应用广泛，包括但不限于以下方面：

高功率半导体器件（导电型）：碳化硅衬底具有较高的击穿电场强度和热导率，适合用于制作高功率功率晶体管和二极管等器件。

射频电子器件（半绝缘型）：碳化硅衬底具有较高的开关速度和功率承受能力，适合用于射频功率放大器、微波器件和高频开关等应用。

光电子器件（半绝缘型）：碳化硅衬底具有较宽的能隙和较高的热稳定性，适合用于制作光电二极管、太阳能电池和激光二极管等器件。

温度传感器（导电型）：碳化硅衬底具有较高的热导率和热稳定性，适合用于制作高温传感器和测温仪器等。