普通半导体器件的特性主要包括以下几个方面 - pcim

一、导电特性

半导体器件的导电能力介于导体和绝缘体之间。典型的半导体材料如硅（Si）和锗（Ge）的原子结构特点使得它们在最外层具有4个价电子，这些价电子在受到一定能量激发（如热激发或光激发）后，可以摆脱共价键的束缚成为自由电子，同时在共价键中留下空位（空穴），形成电子-空穴对。这些自由电子和空穴都是半导体中的载流子，它们可以在电场作用下定向移动，从而形成电流。

二、PN结特性

PN结是半导体器件中的基础结构，具有单向导电性。当PN结外加正向电压时，外电场与内电场方向相反，削弱了内电场，有利于多子的扩散而不利于少子的漂移，使耗尽层变窄，多子源源不断地从电源得到补充形成较大的电流，即正向电流。而当PN结外加反向电压时，外电场使少子背离结移动，空间电荷区变宽，漂移运动加强形成反向电流，但反向电流很小，几乎可以忽略不计，此时PN结处于截止状态。

三、静态特性

半导体器件的静态特性是指在恒定电压和温度条件下，器件的电流和电压之间的关系。常见的静态特性包括电流-电压特性、导通特性和截止特性。对于二极管、晶体管等器件，其电流-电压特性曲线通常呈现非线性关系。当器件正常工作时，导通特性表现为低电阻，而截止特性则表现为高电阻。

四、小型化与集成化

半导体器件的一个显著特点是小型化。由于晶体管、二极管等半导体器件体积小，因此很容易实现多个元器件在一个芯片上的集成，从而方便地实现高度集成化的电路设计，大大节约了空间和成本。这种小型化和集成化的特性使得半导体器件在电子设备中得到了广泛应用。