行业资讯
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2025/09/02
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近期，有报道称阿里巴巴已研发出最新 AI 芯片，并进入测试阶段，该芯片主要用于支持较为广泛的 AI 推理任务。消息人士还透露，阿里巴巴委托了一家中国企业代工上述芯片。此前，美国已禁止台积电为中国企业打造先进制程 AI 芯片。NVIDIA H20 虽获美国放行，但被曝有“后门”安全风险，目前无法在中国销售。 有消息称，阿里巴巴开发这款新的 AI 芯片，是为了填补 NVIDIA 在中国市场的空白。媒体就此询问了阿里巴巴，但截至发稿，尚未获得回复。
2025/09/02
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在半导体行业，AMD 与英特尔这对老对手之间的竞争向来激烈。然而，最近却传出了一个令人瞩目的消息。9 月 1 日，AMD 公司架构与战略副总裁 Robert Hormuth 在 8 月底透露，由其参与的 x86 生态系统咨询小组近期取得了积极进展，各方在推动 x86 架构发展的过程中表现出良好的合作意愿，这种协作态度在以往较为少见。这背后究竟隐藏着怎样的意图?x86 架构又将迎来怎样的关键升级呢?
2025/08/29
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近日，国际知名半导体产业咨询机构 YOLE Group 正式发布了《2025 年碳化硅功率器件市场与应用趋势报告》，深入剖析了 2025 - 2030 年全球碳化硅(SiC)产业的增长逻辑与关键变量。报告显示，碳化硅功率器件市场将在 2030 年突破 103 亿美元，未来五年复合增长率(CAGR)超过 20%，将成为宽禁带半导体最具爆发力的赛道之一。行业发展的五大趋势深度洞察是什么呢？
2025/08/29
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在当今数字化时代，电力电子技术正成为推动能源系统智能化的关键力量。现代人工智能(AI)系统对电力的巨大需求，不仅带来了挑战，也为电力电子系统的设计和实施带来了前所未有的机遇。未来，电力电子系统将需要具备更高的性能和更复杂的功能，这将推动新型半导体、无源元件和设备的创新，以及更复杂的系统建模和控制技术的发展。在这一过程中，现代机器学习工具将在足够的训练数据和计算能力支持下，学习复杂系统的物理特性和控制策略，从而为电力电子行业带来新的突破。
2025/08/27
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碳化硅(SiC)作为第三代半导体的核心材料，凭借其高击穿场强、高导热性和高耐温性，在新能源汽车、光伏储能、5G通信等领域展现出巨大的应用潜力。2024年，国内SiC衬底和外延市场经历了价格剧烈波动与产能大幅扩张，尤其是6英寸SiC衬底价格已逼近成本线，而8英寸技术的突破也在加速推进。
2025/08/27
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随着全球对高效、清洁和可持续能源解决方案的需求不断攀升，功率半导体行业迎来了前所未有的发展机遇，同时也面临着更高的技术要求。在这一背景下，先进材料的研发与应用成为了行业的关键焦点。众多先进材料中，碳化硅(SiC)凭借其卓越的性能脱颖而出，成为一项具有颠覆性的创新技术，相较于传统的硅基器件，展现出显著的优势。 碳化硅融合了高导热性、高击穿电场和高带隙等独特性能，使其在大功率及高频应用场景中能够实现更高的效率，成为理想的材料选择。本文将深入探讨碳化硅在汽车、可再生能源系统、工业用品等多种应用场景中的广泛应用及其深远影响，充分展示其在推动电子产品变革中所扮演的关键角色。
2025/08/25
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近期，光伏电源行业内的晶科能源、中节能太阳能、协鑫科技等企业纷纷发布最新交流纪要，透露了各自在当前市场环境下的最新动向与应对策略，展现了它们在行业竞争中的突围之路。
2025/08/25
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近日，全国首台国产商业电子束光刻机“羲之”宣布应用测试，这一消息让整个半导体产业为之振奋。2025年，对于中国半导体设备行业来说，注定是动作频频、备受关注的一年。资金涌入、技术突破、新玩家入场……一系列的动态让人不禁期待，2025年是否会成为中国半导体设备的突破之年?
2025/08/22
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在数据中心领域，一场技术变革正悄然兴起。英伟达近期宣布将推动数据中心供电架构迈入 800V 高压直流(HVDC)的新纪元，这一战略举措不仅打破了传统机架电源系统的限制，更为碳化硅功率器件开辟了一个全新的增量赛道。 据行业预测，碳化硅器件在 800V 数据中心的需求将迅速增长，年需求量有望突破 10 亿美元。其中，仅固态变压器(SST)环节的需求就将达到 5 亿美元，约合人民币 35.9 亿元。这一巨大的市场潜力吸引了众多企业的目光，但碳化硅器件在固态变压器市场的广泛应用仍面临诸多挑战。
2025/08/22
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在当今科技快速发展的时代，将光感知与神经形态计算功能集成于氮化镓(GaN)基器件，已成为突破传统分立器件局限的关键一步。这一创新举措不仅可以显著提升信息处理效率，降低系统功耗与延迟，还能够为构建高速、低功耗、高集成的智能光电子系统提供核心硬件支撑，有力推动下一代光电子智能感知与处理技术的发展，例如仿生视觉芯片、光神经形态计算等前沿领域。 近期，中科院苏州纳米所陆书龙团队凭借在 GaN 材料外延与器件工艺方面的深厚积累，在氮化镓基单片集成器件领域取得了两项令人瞩目的重要进展，为 GaN 领域的发展注入了新的活力。
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