行业资讯
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2025/08/21
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国产SiC(碳化硅)功率模块全面取代进口IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块的趋势，既是技术迭代的必然结果，也是中国电力电子产业实现“换道超车”的战略选择。结合基本半导体(BASiC Semiconductor)等企业的技术突破与产业化进展，这一趋势的必然性及其对中国电力电子产业的影响可从以下五个维度展开分析。
2025/08/21
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据“广东致能半导体有限公司”官微消息，近期，广东致能创始人黎子兰博士参加了在瑞典举办的第十五届国际氮化物半导体会议(ICNS-15)，并受邀作报告。在报告中，黎子兰博士分享了团队在硅基垂直氮化镓功率器件(GaN HEMT)技术上的原创性突破及广阔的应用前景。
2025/08/19
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SiC行业的新动态不断涌现，英飞凌科技在200mm SiC技术上的重大突破和SK集团8英寸SiC项目的加速推进，都显示出这一领域的快速发展和巨大潜力。200mm SiC技术的实现和8英寸SiC衬底的量产，不仅提升了生产效率和市场供应能力，还为高压应用领域提供了更先进的解决方案。随着全球SiC市场的竞争加剧和技术的不断进步，未来SiC器件将在更多领域发挥重要作用，推动行业的持续发展。
2025/08/19
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近日，IDC公布了2025年中国智能手机出货量数据，今年上半年，国内智能手机整体出货量约为1.4亿台，较去年同期微降0.6%。尽管手机市场已从增量竞争全面转向存量博弈，但GaN器件在PD快充等消费电子领域的增长势头依旧强劲。据行家说Research数据显示，2024年全球GaN消费电子市场规模达2.62亿美元(约合人民币18.82亿)，预计2025年将达到3.30亿美元(约合人民币23.70亿)，到2030年将增至10.92亿美元(约合人民币78.42亿)。2024 - 2030年期间，GaN消费电子的年复合增长率达26.86%，展现出强劲的增长趋势与发展潜力。
2025/08/19
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近年来，氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表，在全球范围内引起了广泛关注。中国作为全球重要的半导体市场之一，其GaN产业的发展尤为突出。就在上个月，美通社发表了一篇文章，指出华为在无线通信领域的长期领先，正是由于其在中国拥有完善的GaN供应链。这不仅凸显了GaN在现代通信技术中的关键作用，也反映出中国在该领域的强大产业基础和创新能力。那么，在政策支持和市场需求的双重推动下，中国的GaN产业到底发展得怎么样了?本文将从多个角度深入剖析，带大家一探究竟。
2025/08/15
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中国在芯片制造领域迎来了一个关键里程碑。据环球时报旗下账号“哇喔·环球新科技”、观察者网等多家权威媒体报道，中国科学院上海光学精密机械研究所(简称中国科学院上海光机所)林楠研究员带领的科研团队，成功绕过二氧化碳激光，采用固体激光器技术开发出 LPP-EUV 光源，这一成果不仅打破了国外在该领域的长期垄断，更达到了国际领先水平，为中国自主开展 EUV 光刻技术的研发和应用奠定了坚实基础。
2025/08/13
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随着电子系统复杂性和能效需求的不断提高，传统的集中式电源管理方法已经难以满足现代电子设备的需求。电源控制正逐渐向芯片或异构封装中集成，这一转变得益于多种关键技术方法的推动，这些技术不仅提升了系统效率和小型化程度，还为未来的发展奠定了坚实基础。
2025/08/13
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功率半导体器件，也称为电力电子器件，是电力设备中用于电能变换和控制电路的核心部件，广泛应用于大功率场景。其主要功能包括逆变(将直流电转换为交流电)、整流(将交流电转换为直流电)、斩波(直流电的升降压)和变频(交流电之间的转换)。在功率分立器件中，MOSFET(金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)和 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是目前的主流选择。
2025/08/12
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打造从芯片设计、芯片制造到封装测试的“全链条”产业体系，牢牢掌握芯片制造自主权，年销售产品超 300 亿颗需要多久?长晶科技的答案是——6 年。
2025/08/11
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香港在半导体制造领域迈出了重要一步。近日，香港创新科技署宣布，杰立方半导体(香港)有限公司(以下简称“杰立方半导体”)的“新型工业加速计划”申请获得批准。这标志着香港首座8英寸碳化硅(SiC)晶圆厂的建设即将启动，总预算超过7亿港元，预计将获得约2亿港元的政府资助。
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