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2025/11/11
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第三代半导体是指以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料为核心的新一代半导体技术。与传统的硅基半导体相比，第三代半导体具有以下特点： 材料特性 宽禁带宽度：禁带宽度大于2.3eV，使器件能承受更高的电压和温度。 高击穿电场：适合高压大功率应用，器件可小型化。 高热导率：散热性能优异，适用于高温环境。 高电子饱和漂移速率：适合高频、高速电子器件。 主要材料 碳化硅(SiC)：热导率高，适合高压、大功率器件，如新能源汽车、光伏逆变器。 氮化镓(GaN)：电子迁移率高，适用于高频、中小功率器件，如5G基站、快充设备。 其他材料：氧化锌(ZnO)、金刚石等，具有特殊光电性能或极端环境适应能力。 应用领域 新能源汽车：用于电机控制器、车载充电器等，提升能效和续航。 5G通信：GaN射频器件支持更高频率，用于基站建设。 光伏发电：SiC功率器件提高逆变器效率，降低能量损耗。 轨道交通：用于牵引变流器，提高系统效率和可靠性。 消费电子：GaN快充适配器实现高功率、小型化。 发展优势 性能提升：相比硅基器件，第三代半导体可降低能量损耗，提高系统效率。 小型化：更高的功率密度，减小设备体积和重量。 环境适应性：可在高温、高压、高频等严苛条件下稳定工作。
2025/11/11
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安森美、纳微半导体、士兰微、华润微、宏微科技共5家企业，近日都相继披露了最新SiC/GaN业务进展，我们一起来了解一下!
2025/11/06
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SEMI在一份最新数据中表示，其第三季度全球半导体硅晶圆出货面积33.13亿平方英寸，季减0.4%，年增3.1%。 SEMI表示推升今年来硅晶圆出货较去年同期增长的主要动能是因为人工智能(AI)推动半导体先进制程投资扩张，进而带动了硅晶圆需求增长，其12英寸硅晶圆出货量成长!
2025/11/06
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谷歌正式宣布启动Project Suncatcher“太阳捕手”计划，这个计划中，谷歌正探索发射搭载自研TPU AI芯片的人造卫星，让其在太空中可以构建可扩展的计算互联网络。
2025/11/06
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近期在美国奥斯汀地区，ASML发布了 “现场服务工程师” 招聘公告，根据这份公告表示“将为三星的EUV设备初期调试提供支持”。这也向外界表明ASML已经开始组建团队来负责三星泰勒工厂的设备安装、校准与测试工作。
2025/11/06
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闻泰科技发布公告说，其持股5%以上股东无锡国联集成电路投资中心(有限合伙)计划通过大宗交易方式减持不超过2489.27万股(不超过公司总股本的2%)、通过集中竞价方式减持不超过1244.64万股(不超过公司总股本的1%)，合计减持不超过3733.91万股，即不超过公司总股本的3%。其减持的原因为股东自身经营计划需要，减持期间为2025年11月27日至2026年2月26日。
2025/11/06
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环球晶圆召开线上法人说明会，其第三季财报的营收下滑到了新台币144.93亿元，环比下跌了9.5%，税后净利新台币有19.69亿元，环比增长增17.1%，每股纯益4.12元。累计前三季的营收为新台币460.96亿元，年减0.4%，毛利率23.6%，较去年同期下滑8.6个百分点，税后净利新台币51.07亿元，年减45.5%，每股纯益新台币10.68元。
2025/11/04
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长江存储作为中国存储芯片领军企业，其于近日宣布已成功自主研发并小规模量产超过200层的3D NAND闪存芯片，其性能与功耗比大有对标国际大厂同类产品之势。
2025/11/04
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第二季度财报发布，阿斯麦宣布其营收和利润均超市场预期，其中EUV和下一代High-NA EUV光刻机的订单量创下了历史新高!其也在电话会议中警告了地缘政治风险!
2025/11/04
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台积电联合首席执行官魏哲家在一场技术论坛上宣布2纳米(N2)制程已取得突破性进展，目前在试产中的良率远超时间表。再次确立了领先优势，2025年下半年的大规模量产很有可能。
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