行业资讯
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2025/08/27
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碳化硅(SiC)作为第三代半导体的核心材料，凭借其高击穿场强、高导热性和高耐温性，在新能源汽车、光伏储能、5G通信等领域展现出巨大的应用潜力。2024年，国内SiC衬底和外延市场经历了价格剧烈波动与产能大幅扩张，尤其是6英寸SiC衬底价格已逼近成本线，而8英寸技术的突破也在加速推进。
2025/08/27
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随着全球对高效、清洁和可持续能源解决方案的需求不断攀升，功率半导体行业迎来了前所未有的发展机遇，同时也面临着更高的技术要求。在这一背景下，先进材料的研发与应用成为了行业的关键焦点。众多先进材料中，碳化硅(SiC)凭借其卓越的性能脱颖而出，成为一项具有颠覆性的创新技术，相较于传统的硅基器件，展现出显著的优势。 碳化硅融合了高导热性、高击穿电场和高带隙等独特性能，使其在大功率及高频应用场景中能够实现更高的效率，成为理想的材料选择。本文将深入探讨碳化硅在汽车、可再生能源系统、工业用品等多种应用场景中的广泛应用及其深远影响，充分展示其在推动电子产品变革中所扮演的关键角色。
2025/08/25
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近期，光伏电源行业内的晶科能源、中节能太阳能、协鑫科技等企业纷纷发布最新交流纪要，透露了各自在当前市场环境下的最新动向与应对策略，展现了它们在行业竞争中的突围之路。
2025/08/25
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近日，全国首台国产商业电子束光刻机“羲之”宣布应用测试，这一消息让整个半导体产业为之振奋。2025年，对于中国半导体设备行业来说，注定是动作频频、备受关注的一年。资金涌入、技术突破、新玩家入场……一系列的动态让人不禁期待，2025年是否会成为中国半导体设备的突破之年?
2025/08/22
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在数据中心领域，一场技术变革正悄然兴起。英伟达近期宣布将推动数据中心供电架构迈入 800V 高压直流(HVDC)的新纪元，这一战略举措不仅打破了传统机架电源系统的限制，更为碳化硅功率器件开辟了一个全新的增量赛道。 据行业预测，碳化硅器件在 800V 数据中心的需求将迅速增长，年需求量有望突破 10 亿美元。其中，仅固态变压器(SST)环节的需求就将达到 5 亿美元，约合人民币 35.9 亿元。这一巨大的市场潜力吸引了众多企业的目光，但碳化硅器件在固态变压器市场的广泛应用仍面临诸多挑战。
2025/08/22
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在当今科技快速发展的时代，将光感知与神经形态计算功能集成于氮化镓(GaN)基器件，已成为突破传统分立器件局限的关键一步。这一创新举措不仅可以显著提升信息处理效率，降低系统功耗与延迟，还能够为构建高速、低功耗、高集成的智能光电子系统提供核心硬件支撑，有力推动下一代光电子智能感知与处理技术的发展，例如仿生视觉芯片、光神经形态计算等前沿领域。 近期，中科院苏州纳米所陆书龙团队凭借在 GaN 材料外延与器件工艺方面的深厚积累，在氮化镓基单片集成器件领域取得了两项令人瞩目的重要进展，为 GaN 领域的发展注入了新的活力。
2025/08/22
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在当今快速发展的科技时代，电力电子与人工智能(AI)的融合正成为推动能源系统创新的关键力量。一方面，现代 AI 系统对电力的需求巨大，这为电力电子系统带来了新的挑战;另一方面，AI 也为改进能源系统的设计和实施带来了前所未有的机遇。电力电子系统需要极致的性能和复杂的功能，而 AI 技术的引入，正在为这一领域带来革命性的变化。
2025/08/21
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电源技术作为电子设备的核心支撑，始终处于快速发展的前沿。近期，电源行业又迎来了诸多新动态和热点话题，今天就让我们一起深入探讨这些令人瞩目的变化。
2025/08/21
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国产SiC(碳化硅)功率模块全面取代进口IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块的趋势，既是技术迭代的必然结果，也是中国电力电子产业实现“换道超车”的战略选择。结合基本半导体(BASiC Semiconductor)等企业的技术突破与产业化进展，这一趋势的必然性及其对中国电力电子产业的影响可从以下五个维度展开分析。
2025/08/21
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据“广东致能半导体有限公司”官微消息，近期，广东致能创始人黎子兰博士参加了在瑞典举办的第十五届国际氮化物半导体会议(ICNS-15)，并受邀作报告。在报告中，黎子兰博士分享了团队在硅基垂直氮化镓功率器件(GaN HEMT)技术上的原创性突破及广阔的应用前景。
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