行业资讯
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2025/09/25
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在7月，爱仕特在其官网宣布推出多款SiC模块新产品，其中顶部散热SiC半桥模块尤为引人注目。该模块内部采用DBC(陶瓷覆铜板)绝缘基板，具备175℃的峰值工作温度耐受能力。其大幅缩减的PCB面积和简化的散热设计，直接降低了系统体积与物料成本，使其在车载充电器、便携储能充电器等领域具有显著的应用优势。
2025/09/25
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电力行业作为国家能源基础设施的核心，正加速向智能化、数字化转型。从传统电网的单一供电功能，到智能电网的全流程状态监测与优化控制，这一变革与传感器技术的进步紧密相连。早期电力系统主要依赖传统机械式传感器实现基本参数监测，但其体积大、功耗高、精度低等局限，难以满足复杂电网环境下的实时监测需求。
2025/09/24
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近日，英诺赛科第三代700V增强型氮化镓功率器件系列正式推向市场。与上一代Gen2.5产品相比，Gen3系列在核心性能方面取得了显著进步。
2025/09/24
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东芝近日宣布推出三款650V碳化硅(SiC)MOSFET产品，型号分别为“TW027U65C”“TW048U65C”和“TW083U65C”。这三款新品搭载了东芝最新的第3代SiC MOSFET芯片，并采用了表面贴装的TOLL封装形式，主要面向开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备领域，目前已经开始支持批量出货。
2025/09/24
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GPU的升级，带来的是存储产业的快速升级。龙芯中科在互动平台表示，龙芯首款GPGPU芯片9A1000的研发基本完成，三季度内会交付流片。成功与否需待流片回来后的测试结果。此前龙芯中科在机构调研中披露，即将交付流片的9A1000是首款GPGPU芯片，低成本，图形方面对标RX550，具有几十T的算力;后续还有9A2000和9A3000的规划。这对于国产存储芯片而言，无疑是一个重磅利好。
2025/09/22
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随着现代工业对更高功率、更高频率、更小体积应用需求的不断攀升，单纯依靠改变器件结构已无法突破半导体材料自身性能的瓶颈。此时，第三代半导体材料——宽禁带(WBG)半导体崭露头角，它能够突破传统硅半导体材料的极限，进而研发出性能更为卓越的半导体功率器件。
2025/09/22
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近日，半导体硅片领域的领军企业沪硅产业重大资产重组项目在上交所并购重组委顺利过会，这标志着其在产业发展征程中迈出了关键一步，进一步巩固了在国内半导体硅片产业的头部地位，也为加快 300mm 半导体硅片的国产化进程、护航产业自主可控和国家安全注入了强劲动力。
2025/09/18
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垂直氮化镓(Vertical GaN)是氮化镓(GaN)材料的一种新型结构，采用垂直拓扑设计。与传统横向结构相比，垂直 GaN 通过增加漂移层厚度提升阻断能力，同时不增加器件面积，适合高电压、高功率应用。其优势在于高击穿电压、低导通电阻和高导通电流密度，为电力电子系统提供高性价比解决方案，有望在高压领域取代传统硅基器件。
2025/09/18
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当地时间 9 月 11 日，高盛 Communacopia + 科技大会进入第三天，美国半导体行业多家龙头企业密集发声。新思科技(SNPS)、拉姆研究(LRCX)、科磊(KLAC)、西部数据(WDC)、闪迪(SNDK)和德州仪器(TXN)等公司高管透露了关键行业趋势与公司战略。以下是第三日的核心要点解读，为投资者提炼干货
2025/09/18
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YOLE数据显示，2009至2023年间，计算核心数量急剧增加，但内存带宽增长速度明显滞后。这一困境体现在三组关键数据上：计算需求加速增长，但每核心带宽持续下降;DRAM芯片密度增长明显放缓。尽管DDR速度有所提升，但每处理器插槽核心数量的爆炸式增长，导致每核心可用带宽并未相应扩展。这表明，尽管计算能力在不断增强，但内存带宽的瓶颈正在制约整体性能的提升。
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