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以获取最新消息
2025/09/16
792
半导体国产替代加速,如华为等国内企业崭露头角__PCIM半导体展会行业动态
在外部压力的考验下,中国企业不仅没有退缩,反而展现出惊人的创新能力,成为半导体国产替代的主力军。华为昇腾系列芯片凭借先进封装技术,不断突破计算能力瓶颈,如今已在国内多个数据中心实现规模部署,为数据中心的高效运算提供了强大动力,这不仅是技术上的突破,更是国产芯片在高端应用领域的重要一步。
2025/09/16
282
中国半导体产业准备突围了吗?英伟达被查背后的思考__PCIM半导体展会行业动态
近日,国家市场监管总局对英伟达启动反垄断调查,犹如一颗石子投入平静湖面,在半导体行业激起层层涟漪。这把达摩克利斯之剑背后,是中国半导体产业绝地反击的序幕拉开。当英伟达因违反承诺而面临调查时,中国科技企业正在悄然加速国产替代进程。这场看似简单的商业纠纷,实则是全球科技博弈的又一关键节点,也为中国半导体产业带来了前所未有的机遇。
2025/09/11
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算力背后的故事:光模块,驱动数字世界的隐形引擎_PCIMASIA氮化镓展会
全球算力需求每 12 个月翻一番,而支撑这一增长的并非仅仅是 GPU 和 CPU。光模块,这一隐藏在数据中心机柜中的 “隐形引擎”,正在成为算力革命的真正瓶颈与破局点。 从 ChatGPT 的千亿参数训练到自动驾驶的实时决策,算力的 “暴力美学” 依赖的不仅是计算芯片的堆叠,更是数据洪流在服务器、存储、网络之间的高效流动。光模块,正是这条数据高速公路的 “收费站” 与 “立交桥”。为了更深入了解光模块,我特地拜访了几位研发客户,向他们请教了有关光模块的相关问题,顺带也想知道这里面是否有我司产品机会。
2025/09/11
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电力能源"大件难题"怎么解?从快速试制到批量生产_pcimasia电力展会
在电力能源装备制造领域,大型铸件正面临着 “既要快速创新,又要稳定批产” 的双重挑战。这类 “大、精、难” 铸件不仅尺寸庞大,更对气密性、强度和尺寸精度有着近乎苛刻的要求。传统制造方式陷入两难:若追求快速创新,采用木模试制虽周期较短(约 40 天),但无法满足产品严苛的精度要求,也无法满足批量生产的质量稳定性要求;若直接开金属模,则前期投入巨大(模具成本超 50 万元),且设计变更代价高昂。这种矛盾严重制约了电力装备的迭代速度,特别是在当前行业加速向绿色化、智能化转型的背景下,传统工艺已难以满足市场对产品快速升级的需求。
2025/09/09
822
英伟达处理器换材料?宽禁带半导体碳化硅未来可期_宽禁带半导体碳化硅展PCIMASIA
近日,据外媒报道,英伟达在其新一代处理器的开发蓝图中,计划将CoWoS先进封装环节的中间基板材料从硅更换为碳化硅。目前,台积电已经邀请各大厂商共同研发碳化硅中间基板的制造技术。这一变化不仅标志着半导体材料领域的一次重大转变,也预示着一个新的赛道即将爆发。而我国在碳化硅领域具备全球竞争力,有望借此带动国内产业链的进一步发展。
2025/09/09
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氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)的区别你还不知道?不着急我们慢慢讲
几十年来,硅一直是晶体管领域的霸主,但如今,这一格局正在悄然改变。化合物半导体,由两种或三种材料组合而成,正以其独特的优势和卓越的特性逐渐崭露头角。比如,化合物半导体催生了发光二极管(LED),其中一种是由砷化镓(GaAs)和磷砷化镓(GaAsP)构成,还有些则采用铟和磷。
2025/09/09
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半导体设备供应链订单大爆,先进封装大扩产_半导体展会PCIMASIA
在AI浪潮的推动下,半导体先进封装产业正迎来加速扩产的黄金时期。原本对先进封装并不看好的台积电,在过去两年态度大转弯,开始大规模扩产。与此同时,专业封测代工(OSAT)厂也从以往的保守态度转向积极布局,整个行业呈现出蓬勃发展的态势。
2025/09/08
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GaN氮化镓市场正在蓄势待发吗?一文了解行业热点:氮化镓_PCIMASIA氮化镓展
近日,半导体市场中,GaN(氮化镓)这一词汇频繁出现在大众视野中,成为行业热点。此前,东芝旗下的芯片制造商日本半导体宣布大幅扩产芯片,将重点聚焦于 SiC(碳化硅)和 GaN 芯片。紧接着,芯片制造巨头台积电对 6 英寸晶圆代工产能进行调整的消息,更是让 GaN 市场再次成为关注焦点。那么,台积电的这一动态究竟会给 GaN 市场带来怎样的改变呢?
2025/09/08
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国产半导体设备份额破40%,真的要雄起了吗?_半导体PCIM ASIA展
2025 年 8 月 29 日,美国商务部的一纸禁令犹如一颗重磅炸弹,震动了全球半导体产业。美国的制裁逻辑在这次政策中彻底暴露,其通过限制设备进口、审批流程等手段,试图对全球半导体产业链进行重构,以达到其在经贸谈判中的目的。然而,这一系列举动不仅未能阻挡中国半导体产业的发展,反而成为其崛起的催化剂。
2025/09/04
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氮化镓会反超SiC吗?_pcimasia氮化镓展
在半导体领域,一场激烈的竞争正在悄然上演,主角是两种极具潜力的材料:碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。它们争夺的焦点是在极端高温条件下工作的电路。碳化硅芯片曾一度占据领先地位,其工作温度可达 600°C。然而,氮化镓凭借其独特的特性,在高温性能方面更胜一筹,如今已超越碳化硅。宾夕法尼亚州立大学电气工程教授 Rongming Chu 领导的研究团队设计出一款可在 800°C(足以融化食盐)下工作的氮化镓芯片,这一突破性进展可能对未来的太空探测器、喷气发动机、制药工艺以及许多其他需要极端条件下电路的应用至关重要。
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