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2025/10/17

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什么是半导体功率器件?核心芯片种类及特点,一文科普_PCIMASIA功率器件展

一、什么是半导体功率器件?

半导体功率器件是用于控制、转换和传输电能的核心半导体元件,主要用于高压、大电流、高频场景(如电源、电机驱动、新能源发电等)。

通俗讲,半导体功率器件就像“电力电子的开关/调节器”,决定电能的使用效率和质量。

二、核心芯片种类及特点

功率器件按材料和技术路线可分为传统硅基器件和宽禁带(WBG)器件(碳化硅SiC、氮化镓GaN),以下是主流类型:

1. 传统硅基功率器件

类型

子类

原理与特点

典型参数范围

二极管

整流二极管

单向导电,将交流电转直流电;结构简单但开关速度慢。

电压:200V-10kV;电流:1A-1000A


肖特基二极管

基于金属-半导体接触,正向压降低(约0.3V)、开关速度快(纳秒级),但耐压低。

电压:20V-600V;电流:1A-100A


齐纳二极管

反向击穿时电压稳定,用于稳压(如电源保护)。

电压:2V-200V;电流:1mA-100mA

晶体管

BJT(双极结型晶体管)

电流控制型器件(需基极电流驱动),导通压降低(约0.7V),但开关速度较慢、易发热。

电压:30V-1000V;电流:1A-1000A


MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)

电压控制型器件(栅极电压驱动),开关速度快(纳秒级)、输入阻抗高,适合高频小电流场景。

电压:10V-1000V;电流:1A-1000A

晶闸管(Thyristor)

普通晶闸管(SCR)

半控型器件(仅能触发导通,无法主动关断),耐压高、电流大,适合强电场景。

电压:400V-10kV;电流:10A-10kA


门极可关断晶闸管(GTO)

可通过门极信号关断,但开关速度慢、损耗高,逐渐被IGBT替代。

电压:400V-6.5kV;电流:100A-6kA

IGBT(绝缘栅双极晶体管)

-

BJT与MOSFET的结合体(电压控制、电流驱动),兼具高耐压、低导通压降、中等开关速度,是中高压场景“主力”。

电压:600V-6.5kV;电流:10A-3000A

总结:硅基器件成熟度高、成本低,但高频/高温性能受限(硅材料物理极限)。


文章、资料来源:芯封百科


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