一、什么是半导体功率器件?
半导体功率器件是用于控制、转换和传输电能的核心半导体元件,主要用于高压、大电流、高频场景(如电源、电机驱动、新能源发电等)。
通俗讲,半导体功率器件就像“电力电子的开关/调节器”,决定电能的使用效率和质量。
二、核心芯片种类及特点
功率器件按材料和技术路线可分为传统硅基器件和宽禁带(WBG)器件(碳化硅SiC、氮化镓GaN),以下是主流类型:
1. 传统硅基功率器件
类型 |
子类 |
原理与特点 |
典型参数范围 |
---|---|---|---|
二极管 |
整流二极管 |
单向导电,将交流电转直流电;结构简单但开关速度慢。 |
电压:200V-10kV;电流:1A-1000A |
肖特基二极管 |
基于金属-半导体接触,正向压降低(约0.3V)、开关速度快(纳秒级),但耐压低。 |
电压:20V-600V;电流:1A-100A | |
齐纳二极管 |
反向击穿时电压稳定,用于稳压(如电源保护)。 |
电压:2V-200V;电流:1mA-100mA | |
晶体管 |
BJT(双极结型晶体管) |
电流控制型器件(需基极电流驱动),导通压降低(约0.7V),但开关速度较慢、易发热。 |
电压:30V-1000V;电流:1A-1000A |
MOSFET(金属氧化物半导体场效应管) |
电压控制型器件(栅极电压驱动),开关速度快(纳秒级)、输入阻抗高,适合高频小电流场景。 |
电压:10V-1000V;电流:1A-1000A | |
晶闸管(Thyristor) |
普通晶闸管(SCR) |
半控型器件(仅能触发导通,无法主动关断),耐压高、电流大,适合强电场景。 |
电压:400V-10kV;电流:10A-10kA |
门极可关断晶闸管(GTO) |
可通过门极信号关断,但开关速度慢、损耗高,逐渐被IGBT替代。 |
电压:400V-6.5kV;电流:100A-6kA | |
IGBT(绝缘栅双极晶体管) |
- |
BJT与MOSFET的结合体(电压控制、电流驱动),兼具高耐压、低导通压降、中等开关速度,是中高压场景“主力”。 |
电压:600V-6.5kV;电流:10A-3000A |
总结:硅基器件成熟度高、成本低,但高频/高温性能受限(硅材料物理极限)。
文章、资料来源:芯封百科
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