安森美和英伟达、英诺赛科和联合电子、浩思动力等都在加速布局三代半电力领域_电力电子展pcimasia2026

第三代半导体技术是什么呢?

第三代半导体是指以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料为核心的新一代半导体技术。与传统的硅基半导体相比，第三代半导体具有以下特点：

材料特性

宽禁带宽度：禁带宽度大于2.3eV，使器件能承受更高的电压和温度。

高击穿电场：适合高压大功率应用，器件可小型化。

高热导率：散热性能优异，适用于高温环境。

高电子饱和漂移速率：适合高频、高速电子器件。

主要材料

碳化硅(SiC)：热导率高，适合高压、大功率器件，如新能源汽车、光伏逆变器。

氮化镓(GaN)：电子迁移率高，适用于高频、中小功率器件，如5G基站、快充设备。

其他材料：氧化锌(ZnO)、金刚石等，具有特殊光电性能或极端环境适应能力。

应用领域

新能源汽车：用于电机控制器、车载充电器等，提升能效和续航。

5G通信：GaN射频器件支持更高频率，用于基站建设。

光伏发电：SiC功率器件提高逆变器效率，降低能量损耗。

轨道交通：用于牵引变流器，提高系统效率和可靠性。

消费电子：GaN快充适配器实现高功率、小型化。

发展优势

性能提升：相比硅基器件，第三代半导体可降低能量损耗，提高系统效率。

小型化：更高的功率密度，减小设备体积和重量。

环境适应性：可在高温、高压、高频等严苛条件下稳定工作。

安森美和英伟达的AI数据中心供电方案合作、英诺赛科和联合电子的新能源汽车电力电子系统的合作、浩思动力在增程发电系统的突破等。

安森美和英伟达的AI数据中心供电方案合作：

安森美宣布和英伟达达成合作，共同推动向800V直流(VDC)供电架构转型。

这一变革性解决方案将推动下一代人工智能(AI)数据中心在能效、密度及可持续性方面实现显著提升。

英诺赛科和联合电子的新能源汽车电力电子系统的合作：

英诺赛科宣布和联合汽车电子(简称：联合电子)成立联合实验室，开发先进的新能源汽车电力电子系统，利用GaN技术在尺寸、重量和效率方面的优势。双方在联合电子(苏州研发中心)举行了联合实验室揭幕仪式。

浩思动力在增程发电系统的突破：

浩思动力在官微首发氮化镓增程发电系统，该系统搭载了其自研的氮化镓功率模块。“冰刃”氮化镓功率模块超高功率，提高增程充电速度，快充升级，此外增程充电效率最高可达95%，WLTC效率可达94%，续航节能显著。

来源：广州光亚法兰克福展览有限公司

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