好技术,才有更复杂的碳化硅_碳化硅技术展pcimasia

对于生产高质量碳化硅晶圆有着直接影响的就是碳化硅制备工艺，目前碳化硅晶圆被应用到了各个高新领域之中，是制作高新产品的重要材料之一。

碳化硅(SiC)是推动新能源革命的关键“第三代半导体”材料。简单来说，它是一种由硅和碳组成的化合物，其独特的“宽禁带”结构赋予了它远超传统硅材料的物理特性，尤其是在耐高压、耐高温和提升能效方面表现卓越，因此在新能源汽车、光伏等领域扮演着核心角色。

主要应用

新能源汽车：

用于电机控制器、车载充电机，提升续航里程5%-10%。

光伏与储能：

光伏逆变器效率突破99%，降低系统能耗。

5G通信：

射频器件支持高频信号处理，提升基站效率。

半导体碳化硅产业3大关键环节：晶体生长、外延片制备和器件制造

晶体生长：

作为产业链最核心的环节，晶体生长直接决定了碳化硅衬底的质量和成本。目前主流采用物理气相传输法(PVT)。该环节技术壁垒极高，需精确控制温度场、气压及原料纯度，生长速度缓慢，且缺陷密度直接影响后续器件性能。全球仅美国科锐(Wolfspeed)、II-VI等少数企业掌握8英寸衬底量产技术，国内天岳先进、天科合达正加速追赶。

外延片制备：

在碳化硅衬底上通过化学气相沉积(CVD)生长高质量外延层，形成器件所需的电学结构。外延质量决定了器件的击穿电压和导通电阻，需严格控制厚度均匀性及缺陷密度。该环节设备依赖进口，国内瀚天天成等企业正推进国产化替代。

器件制造：

包括芯片设计、制造、封装测试全流程，技术难点在于高温氧化、离子注入等特殊工艺。碳化硅器件(如MOSFET、SBD)需在高压场景下实现低损耗，对栅极氧化层可靠性要求严苛。国际巨头意法半导体、英飞凌主导市场，国内比亚迪半导体、斯达半导等通过IDM模式加速车规级产品认证。

来源：广州光亚法兰克福展览有限公司

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