无需EUV光刻技术即可实现2nm级图案化的专利已公布?什么情况一起了解一下

根据国家发明专利网显示，华为无需EUV光刻技术即可实现2nm级图案化的专利已公布，该项专利的名称是“一种用于制造集成器件的金属集成方法”。
EUV光刻技术上，中国芯片制造企业如何突破封锁？
中国通过“正面攻关EUV核心+侧翼发展替代技术+成熟制程优化”三轨并行，在光源、材料、设备集成等领域实现反超，同时以二维材料、纳米压印等新路径绕开专利封锁，构建自主芯片制造体系。
EUV光刻技术，被誉为芯片制造领域的“皇冠”，其重要性在于它能将芯片制程推进到3纳米甚至更小。这项技术的核心原理与实现路径，都充满了尖端科技的魅力。EUV光刻采用波长13.5纳米的极紫外光，通过激光轰击锡滴产生等离子体发光，经钼/硅多层膜反射镜聚焦，在真空环境中将电路图案投影至晶圆。
核心组件
光源系统：需每秒5万次轰击30微米锡滴，主脉冲激光功率达20-30千瓦，仅德国通快（TRUMPF）可提供。
反射光学系统：全球只有德国蔡司（Zeiss）能制造钼/硅多层膜反射镜，其表面粗糙度需控制在0.1纳米以内，以实现70%的反射率。
真空环境：因极紫外线在常压下传播距离不足1毫米，整套曝光装置需维持10??帕级真空度，避免气体吸收光能。

来源：广州光亚法兰克福展览有限公司

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