三星全球首家实现10纳米级DRAM量产，半导体与中国拉开5年距离

     三星电子全球首家开创了“10纳米级DRAM”(DynamicRandomAccessMemory，动态随机存取存储器)的量产时代。国内外电子业界认为，中国半导体企业一直在中国政府的集中支持下令人害怕地追击韩国企业，三星此举一下子拉开了5年以上的技术差距。

    三星电子5日宣布，从今年2月份起，世界最小的10纳米级(18纳米)8GB的DDR4(DoubleDataRate4)DRAM已经进入了商业生产。

    1纳米是1米的十亿分之一，其粗细相当于一根头发丝的十万分之一。存储器半导体芯片越小，单一晶片就可以生产出更多的产品。这可以大大降低生产成本，因此国内外半导体企业展开了激烈的“纳米战争”。

    三星电子在2004年实现了90纳米级DRAM的量产，此后每年缩小10纳米左右，于2011年9月首次成功实现20纳米级的DRAM量产。2012年，三星又全球首次成功量产25纳米级的DRAM。继2014年实现20纳米级DRAM的量产之后，三星同年10月在手机DRAM上也全球首安于现状采用了20纳米级生产流程。目前，其他竞争企业还都停留在生产25-30纳米级的DRAM的水平，不久前刚刚开始20纳米产品的量产。

    三星电子计划依靠此次成功进入量产的10纳米级DRAM，在个人电脑和服务器用传统存储器半导体市场上展开大规模攻略。此外，在年内还将实现手机DRAM的10纳米级量产，先行占领高清解像图手机市场。长期而言，三星还将打破被认为是不可能的领域的10纳米级的阻隔，进入“X纳米层DRAM”的技术开发。