展商动态|东芝中国，安世半导体，瞻芯电子11月纷纷发布新品！ - 上海电子展

2022上海国际电力元件、可再生能源管理展览会将于8月31日至9月2日在上海新国际博览中心举行，邀您关注今日上海电子展新资讯：

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2022上海国际电力元件、可再生能源管理展览会将于2022年8月31日至9月2日在上海新国际博览中心举行；上海电子展更多资讯，详情请登陆官网 https://pcim.gymf.com.cn

       在控制下一代功率半导体的驱动IC方面，株式会社东芝（下称“东芝”）成功实现了将模拟与数字高性能电路集成到单个芯片中*1。该混合IC能够以2微秒甚至更短的超高速检测功率半导体的电压和电流状态，发生短路等故障时，可迅速反应，保护功率半导体免遭损坏。

       并且通过精细控制，可将功率半导体产生的噪声降低51%。此外，经理论计算证实，与常规方法下的同等降噪效果相比，电机驱动时的功率损耗可减少25%。

       本技术通过最大限度地发挥下一代功率半导体的性能，推动广泛用于电动汽车、工业设备、智能电网等应用中的电机驱动电路、直流·交流转换器向小型化、高效化和高可靠性的方向发展，为实现碳中和社会做出贡献。

图1 开发的单芯片控制IC的概述、效果及主要技术

图2 控制SiC-MOSFET功率半导体时的

降噪效果和快速故障检测结果

02  Nexperia(安世半导体）推出一系列A-selection齐纳二极管，可提供高精度基准电压，拥有业内极低的±1%容差

       基础半导体元器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）于11月18日宣布推出业内首批 A-selection 齐纳二极管。BZT52H-A(SOD123F) 和 BZX384-A(SOD323) 系列的容差仅有 ±1%，相比 B(±2%) 和 C(±5%) 版本，可提供更高精度的基准电压。这两个系列不仅可以满足日渐增长的移动便携式和可穿戴应用、汽车和工业应用的需求及监管要求，也可以支持 Q 产品组合器件。

       A-selection 齐纳二极管的正常工作电压范围为 1.8 V 至 75 V（E24范围）。这些器件的非重复反向峰值功耗 ≤40W，总功耗 ≤250mW，差分热阻低。低容差可提供更高精度的电压，对应用的测试与测量尤其关键，可帮助工程师取代成本更高的电压基准器件。相比直接保护 MOSFET，另一种替代方案更为经济，即将漏极-栅极路径与齐纳二极管并联。齐纳二极管被击穿后， MOSFET 随即导通，防止漏极-源极发生雪崩击穿。

       A-selection 齐纳二极管还可用于 Q 产品组合器件，符合 AEC-Q101 和 ISO/TS16949 汽车质量标准。这些标准的重点是满足汽车原始设备制造商的压力测试资格，以及质量管理体系的要求。与此同时，客户的需求不断发展，越来越多的非汽车应用需要额外的质量相关服务，例如生产零件批准过程(PPAP)和更长的供货计划。此类标准器件和 Q 产品组合器件的另一个不同之处是产品变更通知(PCN)的期限，根据 JEDEC 的要求，期限从 90 天延长至 180 天。此外，所有部件的供货计划至少为 10 年，保质期超过两年。

Nexperia 继续在技术和内部产能方面加大投入。A-selection 齐纳二极管现可提供样品，并已投入大批量生产。

03  瞻芯电子重磅发布工业界首款图腾柱PFC模拟控制芯片

        11月11日，瞻芯电子的第一颗控制器芯片产品-图腾柱PFC芯片 IVCC1102 正式对外送样，并将于2022年第一季度量产，目前已经在多家标杆客户处进行导入。这是工业界首款全功能连续模式(CCM)图腾柱PFC控制芯片，且仅为16脚封装。IVCC1102有两种封装 SOIC-16L 和 4x4mm QFN-20L，如下图：

上图：SOIC-16L封装

下图：4x4mm QFN-20L封装

        瞻芯电子发布工业界首款图腾柱PFC 模拟控制芯片——图腾柱功率因数校正(PFC）芯片IVCC1102 ，不仅能缩短电源开发时间，降低开发人力与器件成本，还能克服一系列控制难点，如 AC 掉电电流倒灌、过零点电流波形畸变、低谐波失真、雷击保护等问题，以提高电源的可靠性。它在服务器通讯电源，矿机电源，高功率电视和模块电源等高密高效的应用场合有广泛的市场。

       该产品的发布，进一步加强了公司围绕以碳化硅应用为核心的Turn-key芯片方案的供应商战略，将协同瞻芯电子的650V SiC MOSFET以及针对SiC MOSFET设计的比邻（NextDriveTM）栅极驱动芯片，一起为高性能通信电源、数据中心暨服务器电源提供完整的高效率解决方案，为国家节能减排的“双碳”战略提供基础芯片支撑。该产品的行业先进性和首创性，再次体现出瞻芯电子在碳化硅功率半导体行业的强大研发能力和创新精神。
       随着宽禁带半导体——碳化硅和氮化镓开关器件的出现，图腾柱PFC拓扑获得应用的新生。在二极管模式下，这些新功率器件具接近于零的反向恢复损耗，很适合工作在连续模式。图腾柱拓扑简单而高效，是最佳的功率因数校正(PFC)拓扑，广泛应用于铂金级、钛金级电源设计。

2.5kW图腾柱PFC参考设计