行业资讯
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2025/12/25
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深圳平湖实验室近日在100V氮化镓（GaN）功率器件领域取得关键进展，其成功研制出高性能100V GaN E-HEMT（增强型高电子迁移率晶体管）器件与封装工程样品，据悉关键性能达到行业先进水平，可以为数据中心二次电源、人形机器人与无人机电机驱动提供有全新解决方案。
2025/12/25
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根据财联社消息，中芯国际因AI电源需求，行业从业者预计除了8英寸功率BCD已经确定涨价外，接下来高压CMOS（HV-CMOS）也将成为晶圆厂主动提价的目标之一，SiC mos是AI电源的核心器件。
2025/12/24
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瀚天天成12英寸碳化硅外延晶片全球首发，这意味着我国在SiC技术上取得了重磅突破!相比较过往主流的 150mm(6 英寸)碳化硅外延晶片，以及目前尚处产业化推进阶段的 200mm(8 英寸)产品，300mm(12 英寸)晶片在相同生产工序下单片可承载的芯片(器件)数量实现大幅提升，依托的是直径的显著扩容。在相同生产工序下，其单片可承载的芯片(器件)数量较6英寸晶片提升至4.4倍，较8英寸晶片提升至 2.3 倍。
2025/12/23
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晶盛机电近日宣布其首条氮化硅陶瓷材料生产线已正式建成并投入运行。这一条产线能够顺利通线，则是意味着公司在高端材料研发上取得关键进展。我国在战略材料领域长期依赖进口，现在终于可以实现自主供应，这将为我国半导体装备、新能源及电力系统等核心产业的供应链稳定与技术升级提供有力支撑!
2025/12/23
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在5G基站中，国产能讯半导体的GaN(氮化镓)射频功率放大器专利技术应用! GaN(氮化镓)射频功率放大器专利技术不仅可以降低基站功耗，还可以提高系统效率。
2025/12/22
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达成全新合作协议！安森美（onsemi）和格罗方德（GlobalFoundries, GF）将进行合作！这将有力巩固其在智能电源产品领域的领导地位。双方将共同研发并制造下一代的氮化镓（GaN）功率器件，合作将从650V器件开始。
2025/12/19
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安森美（onsemi）12月18日发布革命性垂直氮化镓（vGaN）功率半导体技术，为AI数据中心和电气化应用设定能效新标杆！
2025/12/18
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根据ecia消息，11月电子元器件行业脉搏调查结果远超10月的预期，整体销售信心指数在11月达到120.1，高于此前预测的103.5，这是从6月以来持续6个月的强劲销售信心展现。其中半导体行业的信心表现最突出，其指数跃升12.4点，达到123.5。
2025/12/17
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意法半导体与欧洲投资银行近日签署总额10亿欧元的信贷额度协议，首期5亿欧元已正式到位。这是双方在1994年以来的第九次合作了，累计融资额达42亿欧元，这次融资的资金将专项支持意法半导体在意大利和法国的半导体研发与大规模制造项目。其中60%资金用于提升卡塔尼亚、阿格拉特等核心生产基地的制造能力，40%投入技术研发。
2025/12/16
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纳微半导体前不久宣布将开启8英寸GaN晶圆量产计划，并且表示更大尺寸晶圆能助力实现更高效率器件，同时提升成本控制、规模化能力和制造良率。在此之外，还有英飞凌、英诺赛科、德州仪器等氮化镓企业也早已经对8英寸产线进行布局。
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