行业资讯
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2025/09/18
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垂直氮化镓(Vertical GaN)是氮化镓(GaN)材料的一种新型结构，采用垂直拓扑设计。与传统横向结构相比，垂直 GaN 通过增加漂移层厚度提升阻断能力，同时不增加器件面积，适合高电压、高功率应用。其优势在于高击穿电压、低导通电阻和高导通电流密度，为电力电子系统提供高性价比解决方案，有望在高压领域取代传统硅基器件。
2025/09/18
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当地时间 9 月 11 日，高盛 Communacopia + 科技大会进入第三天，美国半导体行业多家龙头企业密集发声。新思科技(SNPS)、拉姆研究(LRCX)、科磊(KLAC)、西部数据(WDC)、闪迪(SNDK)和德州仪器(TXN)等公司高管透露了关键行业趋势与公司战略。以下是第三日的核心要点解读，为投资者提炼干货
2025/09/18
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YOLE数据显示，2009至2023年间，计算核心数量急剧增加，但内存带宽增长速度明显滞后。这一困境体现在三组关键数据上：计算需求加速增长，但每核心带宽持续下降;DRAM芯片密度增长明显放缓。尽管DDR速度有所提升，但每处理器插槽核心数量的爆炸式增长，导致每核心可用带宽并未相应扩展。这表明，尽管计算能力在不断增强，但内存带宽的瓶颈正在制约整体性能的提升。
2025/09/16
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根据 TrendForce 集邦咨询的研究数据，氮化镓(GaN)功率器件市场规模正迎来爆发式增长，预计将从 2024 年的 3.9 亿美元攀升至 2030 年的 35.1 亿美元，年复合增长率高达 44%。在这一蓬勃发展的大背景下，国产氮化镓器件展现出巨大的发展潜力，正从产线建设、衬底研发到应用拓展等多个维度全面发力，加速实现自主化发展。
2025/09/16
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在外部压力的考验下，中国企业不仅没有退缩，反而展现出惊人的创新能力，成为半导体国产替代的主力军。华为昇腾系列芯片凭借先进封装技术，不断突破计算能力瓶颈，如今已在国内多个数据中心实现规模部署，为数据中心的高效运算提供了强大动力，这不仅是技术上的突破，更是国产芯片在高端应用领域的重要一步。
2025/09/16
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近日，国家市场监管总局对英伟达启动反垄断调查，犹如一颗石子投入平静湖面，在半导体行业激起层层涟漪。这把达摩克利斯之剑背后，是中国半导体产业绝地反击的序幕拉开。当英伟达因违反承诺而面临调查时，中国科技企业正在悄然加速国产替代进程。这场看似简单的商业纠纷，实则是全球科技博弈的又一关键节点，也为中国半导体产业带来了前所未有的机遇。
2025/09/11
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全球算力需求每 12 个月翻一番，而支撑这一增长的并非仅仅是 GPU 和 CPU。光模块，这一隐藏在数据中心机柜中的 “隐形引擎”，正在成为算力革命的真正瓶颈与破局点。 从 ChatGPT 的千亿参数训练到自动驾驶的实时决策，算力的 “暴力美学” 依赖的不仅是计算芯片的堆叠，更是数据洪流在服务器、存储、网络之间的高效流动。光模块，正是这条数据高速公路的 “收费站” 与 “立交桥”。为了更深入了解光模块，我特地拜访了几位研发客户，向他们请教了有关光模块的相关问题，顺带也想知道这里面是否有我司产品机会。
2025/09/11
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在电力能源装备制造领域，大型铸件正面临着 “既要快速创新，又要稳定批产” 的双重挑战。这类 “大、精、难” 铸件不仅尺寸庞大，更对气密性、强度和尺寸精度有着近乎苛刻的要求。传统制造方式陷入两难：若追求快速创新，采用木模试制虽周期较短(约 40 天)，但无法满足产品严苛的精度要求，也无法满足批量生产的质量稳定性要求;若直接开金属模，则前期投入巨大(模具成本超 50 万元)，且设计变更代价高昂。这种矛盾严重制约了电力装备的迭代速度，特别是在当前行业加速向绿色化、智能化转型的背景下，传统工艺已难以满足市场对产品快速升级的需求。
2025/09/09
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近日，据外媒报道，英伟达在其新一代处理器的开发蓝图中，计划将CoWoS先进封装环节的中间基板材料从硅更换为碳化硅。目前，台积电已经邀请各大厂商共同研发碳化硅中间基板的制造技术。这一变化不仅标志着半导体材料领域的一次重大转变，也预示着一个新的赛道即将爆发。而我国在碳化硅领域具备全球竞争力，有望借此带动国内产业链的进一步发展。
2025/09/09
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几十年来，硅一直是晶体管领域的霸主，但如今，这一格局正在悄然改变。化合物半导体，由两种或三种材料组合而成，正以其独特的优势和卓越的特性逐渐崭露头角。比如，化合物半导体催生了发光二极管(LED)，其中一种是由砷化镓(GaAs)和磷砷化镓(GaAsP)构成，还有些则采用铟和磷。
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