行业资讯

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2025/11/12

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全球能源转型与电气化进程的加速正在将功率电子系统的效率与功率密度推向前所未有的高度,而宽禁带半导体(SiC/GaN)正是实现这一突破的核心。

2025/11/12

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美国纽约州当地时间11月10 日,GlobalFoundries(格罗方德,简称 GF、格芯)宣布与台积电就 650V 和 80V 氮化镓(GaN)技术达成技术许可协议。这项合作,标志着两大半导体巨头在功率器件关键技术领域展开深度协作,有望为行业带来新的变革与发展。 根据协议的内容,GF 将在其位于佛蒙特州伯灵顿的制造工厂对获得许可的氮化镓技术进行鉴定。这个工厂在高压硅基氮化镓技术方面拥有深厚的专业知识和丰富的实践经验。 双方已明确规划项目推进时间表,定于2026年初正式启动开发工作,生产则将于同年晚些时候开始。

2025/11/12

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山西天成半导体材料有限公司近期依托自主研发设备再度攻克12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶材料技术难关,这是在其今年成功研制12英寸导电型碳化硅单晶材料后的又一创举!实现大尺寸碳化硅核心材料双技术路线的重大突破,为区域半导体产业高质量发展注入强劲动能。

2025/11/11

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时钟驱动器(CKD)芯片是一种用于时钟信号分发和增强驱动能力的设备,它在计算机科学技术领域扮演着重要角色。时钟驱动器(CKD)芯片在计算机科学技术领域具有广泛的应用前景,特别是在内存模组和服务器端的应用中,它能够有效保障信号完整性,提升系统性能。澜起科技近日正式推出新一代DDR5时钟驱动器(CKD)芯片。新款的9200 MT/s CKD芯片采用的是公司自研的高速、低抖动时钟缓冲架构,可在主机控制器与DRAM芯片之间实现高精度时钟信号缓冲与驱动。这一芯片可以有效提升时钟同步精度和信号完整性,全面增强DDR5 CUDIMM、CSODIMM、CAMM等主流客户端内存模组的系统性能与稳定性。该CKD芯片在具备卓越的高速信号完整性外,还具备出色的能效管理能力。

2025/11/11

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第三代半导体是指以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料为核心的新一代半导体技术。与传统的硅基半导体相比,第三代半导体具有以下特点: 材料特性 宽禁带宽度:禁带宽度大于2.3eV,使器件能承受更高的电压和温度。 高击穿电场:适合高压大功率应用,器件可小型化。 高热导率:散热性能优异,适用于高温环境。 高电子饱和漂移速率:适合高频、高速电子器件。 主要材料 碳化硅(SiC):热导率高,适合高压、大功率器件,如新能源汽车、光伏逆变器。 氮化镓(GaN):电子迁移率高,适用于高频、中小功率器件,如5G基站、快充设备。 其他材料:氧化锌(ZnO)、金刚石等,具有特殊光电性能或极端环境适应能力。 应用领域 新能源汽车:用于电机控制器、车载充电器等,提升能效和续航。 5G通信:GaN射频器件支持更高频率,用于基站建设。 光伏发电:SiC功率器件提高逆变器效率,降低能量损耗。 轨道交通:用于牵引变流器,提高系统效率和可靠性。 消费电子:GaN快充适配器实现高功率、小型化。 发展优势 性能提升:相比硅基器件,第三代半导体可降低能量损耗,提高系统效率。 小型化:更高的功率密度,减小设备体积和重量。 环境适应性:可在高温、高压、高频等严苛条件下稳定工作。

2025/11/11

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安森美、纳微半导体、士兰微、华润微、宏微科技共5家企业,近日都相继披露了最新SiC/GaN业务进展,我们一起来了解一下!

2025/11/06

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SEMI在一份最新数据中表示,其第三季度全球半导体硅晶圆出货面积33.13亿平方英寸,季减0.4%,年增3.1%。 SEMI表示推升今年来硅晶圆出货较去年同期增长的主要动能是因为人工智能(AI)推动半导体先进制程投资扩张,进而带动了硅晶圆需求增长,其12英寸硅晶圆出货量成长!

2025/11/06

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谷歌正式宣布启动Project Suncatcher“太阳捕手”计划,这个计划中,谷歌正探索发射搭载自研TPU AI芯片的人造卫星,让其在太空中可以构建可扩展的计算互联网络。

2025/11/06

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近期在美国奥斯汀地区,ASML发布了 “现场服务工程师” 招聘公告,根据这份公告表示“将为三星的EUV设备初期调试提供支持”。这也向外界表明ASML已经开始组建团队来负责三星泰勒工厂的设备安装、校准与测试工作。

2025/11/06

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闻泰科技发布公告说,其持股5%以上股东无锡国联集成电路投资中心(有限合伙)计划通过大宗交易方式减持不超过2489.27万股(不超过公司总股本的2%)、通过集中竞价方式减持不超过1244.64万股(不超过公司总股本的1%),合计减持不超过3733.91万股,即不超过公司总股本的3%。其减持的原因为股东自身经营计划需要,减持期间为2025年11月27日至2026年2月26日。

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