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2025/11/25
13
12英寸氮化镓传来新进展
信越化学近期宣布,比利时微电子研究中心(imec)利用QST衬底(一种300mm氮化镓(GaN)生长衬底)制造出厚度为5μm的GaN HEMT结构,实现了超过650V的高击穿电压。QST衬底是由美国公司Qromis开发的专用于GaN生长的复合材料衬底。信越化学于2019年获得Qromis的授权,并开始生产直径为150mm和200mm的QST衬底,以及各种尺寸的GaN/QST外延衬底。2024年9月,信越化学开始与Qromis合作,交付300mm QST衬底样品。
2025/11/25
232
国产半导体5纳米芯片量产?光刻机交付?
中国半导体产业2025年下半年呈现一系列技术突破。上海微电子28纳米光刻机成功交付并实现批量应用,中芯国际则采用非EUV工艺量产5纳米芯片,国产EDA工具支持5纳米制程全流程设计。各大半导体企业的三季度财报普遍飘红,政策红利持续释放,自主可控的半导体产业链正在逐步形成。
2025/11/25
13
浙江舟山的跨海联网输变电工程投运
全户内混凝土海岛变电站—220千伏望海(金塘)输变电工程在浙江舟山金塘岛于今年正式投运,本次投运的望海变占地1.5万平方米,总投资达2.52亿元,可容纳4台240兆伏安主变压器,是浙江电网建设史上同等电压等级规模最大的跨海联网输变电工程。望海变是舟山首座应用继电保护定值远程比对技术的220千伏变电站。全站62套保护装置100%接入主站系统,定值100%远程核对一致,核验时间仅需约5分钟。
2025/11/20
211
半导体供应链开始整合,多家公司出手_半导体展pcimasia
国内IC分销商英唐智控11月8日宣布拟购买光隆集成100%股权以及奥简微电子80%股权。雅创电子9月26日宣布拟购买欧创芯40%股权以及怡海能达45%股权,在6月和3月,雅创电子还分别公告收购类比半导体35.88%股权及融创微100%股权。
2025/11/20
83
针对工业与消费类应用优化的OptiMOS7功率MOSFET发布,电力电子展
以应用为导向,英飞凌推出全新OptiMOS 7功率MOSFET系列,面向的是工业与消费市场。该系列特意针对不同应用场景,进行了专门优化,覆盖高性能开关、电机驱动及RDS(on)优化等领域,为多样化系统提供高效可靠的解决方案。
2025/11/20
106
MSOP9系列车规半桥模块发布,已达到国际先进水平_功率器件展
全新MSOP9系列车规级半桥功率模块由华润微全新发布,是在MSOP8封装平台基础上的全新升级成果,其综合性能已达到国际先进水平。该系列创新性地将NTC热敏电阻集成于模块内部,显著提升了集成度与系统可靠性。相比于上一代产品来说,MSOP9具备更优的参数一致性、更小的封装尺寸和更高的功率密度,模块及系统的杂散电感更低,顶部散热能力也远超传统贴片产品。
2025/11/18
143
下一场半导体之战发生在哪?有哪些先机可以窥探?_pcimasia2026半导体展
韩国!这是我们的近邻,其正在大力推广功率半导体产业,是其“超级创新经济15大项目”之一。其中,SK集团作为牵头企业参与。 韩国大力推广功率半导体产业,是“超级创新经济15大项目”之一。
2025/11/18
250
“新一代电网”?“能源互联网”/是什么东西?电力电子装备能迎来东风吗?_电力电子展pcimasia2026
能源互联网是一种新型生态化能源系统,它将互联网理念、技术与能源生产、传输、存储、消费以及能源市场深度融合。 全球范围内,现在越来越重视能源和环境问题,引发了新能源的广泛应用。中国计划2030年左右80%的一次能源转化为电能使用,这也促使了大量的电力电子装置设备被投入到电网中。 由分布式电源、电网设备、电力电子变压器(也称能源路由器)、新型储能设备等组成的新一代电网,其中的电力电子变压器是必不可少的核心装备。
2025/11/18
68
农业无人机进入高效能时代!离不开核心功率器件的支持_pcim功率器件展
农业无人机在当今精准农业快速发展现状中,正成为不可或缺的工具。农业无人机可以搭载各种设备,如喷头、播撒器、摄像头等,实现喷洒农药、施肥、播种、作物监测等多种农业作业功能。能够极大提高农业生产效率,降低劳动强度。其优良的作业效能,离不开核心功率器件的支持。 近日,永源微电子推出多款高效功率MOSFET产品,包括AP400N12TE,以及专为24V无人机系统设计的AP200N04BNF、AP220N04HNF、AP180N04NF、AP120N05NF。这一系列的新品,对于农业无人机来说,意味着更强的动力、更高的效率与更可靠的电气控制基础。
2025/11/12
242
先进封装驱动宽禁带技术迈向更广阔未来_宽禁带器件展pcimasia2026
全球能源转型与电气化进程的加速正在将功率电子系统的效率与功率密度推向前所未有的高度,而宽禁带半导体(SiC/GaN)正是实现这一突破的核心。
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